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Paramétrages

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1. WO2012004974 - ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET CELLULE SOLAIRE COMPRENANT LEDIT ÉLÉMENT

Numéro de publication WO/2012/004974
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/003814
Date du dépôt international 04.07.2011
CIB
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
H01L 31/03928
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
036characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
0392including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
03926comprising a flexible substrate
03928including AIBIIICVI compound, e.g. CIS, CIGS deposited on metal or polymer foils
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
541CuInSe2 material PV cells
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP (AllExceptUS)
  • 河野 哲夫 KAWANO, Tetsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山本 麻由 YAMAMOTO, Mayu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 河野 哲夫 KAWANO, Tetsuo; JP
  • 山本 麻由 YAMAMOTO, Mayu; JP
Mandataires
  • 柳田 征史 YANAGIDA, Masashi; 神奈川県横浜市港北区新横浜3-18-3 新横浜KSビル 7階 柳田国際特許事務所 YANAGIDA & Associates, 7F, Shin-Yokohama KS Bldg., 3-18-3, Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033, JP
Données relatives à la priorité
2010-15364806.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLAR CELL COMPRISING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET CELLULE SOLAIRE COMPRENANT LEDIT ÉLÉMENT
(JA) 光電変換素子及びそれを備えた太陽電池
Abrégé
(EN)
Disclosed is a photoelectric conversion element which has high in-plane uniformity of photoelectric conversion efficiency and comprises a buffer layer that is capable of generally uniformly covering a foundation layer. Specifically disclosed is a photoelectric conversion element (1) in which a lower electrode layer (20), a photoelectric conversion semiconductor layer (30), a buffer layer (40) and a light-transmitting conductive layer (50) are sequentially laminated on a substrate (10), said photoelectric conversion semiconductor layer (30) containing, as a main component, at least one kind of compound semiconductor that has a chalcopyrite structure and is composed of a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element. The photoelectric conversion element (1) is characterized in that the buffer layer (40) contains a ternary compound that is composed of a cadmium-free metal, oxygen and sulfur and the light-transmitting conductive layer (50)-side surface (40s) of the buffer layer (40) is provided with carbonyl ions (C).
(FR)
L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui présente une efficacité de conversion très uniforme dans le plan et qui comprend une couche tampon capable de recouvrir de façon généralement uniforme une couche de fondation. L'invention concerne spécifiquement un élément de conversion photoélectrique (1) dans lequel une couche d'électrode inférieure (20), une couche semi-conductrice de conversion photoélectrique (30), une couche tampon (40) et une couche conductrice transmettant la lumière (50) sont successivement déposées sur un substrat (10), ladite couche semi-conductrice de conversion photoélectrique (30) contenant comme composant principal au moins un type de semi-conducteur composé qui a une structure chalcopyrite et qui est composé d'un élément du groupe IB, d'un élément du groupe IIIB et d'un élément du groupe VIB. L'élément de conversion photoélectrique (1) se caractérise en ce que la couche tampon (40) contient un composé ternaire composé d'un métal différent du cadmium, d'oxygène et de soufre, et la surface (40s) de la couche tampon (40) du côté de la couche conductrice transmettant la lumière (50) est recouverte d'ions carbonyle (C).
(JA)
【課題】下地層を略一様に被覆することが可能なバッファ層を備え、光電変換効率の面内均一性の高い光電変換素子を提供する。 【解決手段】本発明の光電変換素子は、基板(10)上に、下部電極層(20)と、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層(30)と、バッファ層(40)と、透光性導電層(50)が順次積層された光電変換素子1であって、 前記バッファ層(40)が、カドミウム不含金属,酸素,及び硫黄からなる三元化合物を含み、且つ、バッファ層(40)の前記透光性導電層(50)側の表面(40s)に、カルボニルイオン(C)を備えてなることを特徴とするものである。
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