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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012004882 - CELLULE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2012/004882
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2010/061667
Date du dépôt international 09.07.2010
CIB
H01L 21/8246 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
Déposants
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP (AllExceptUS)
  • 大野 英男 OHNO Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 池田 正二 IKEDA Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 伊藤 顕知 ITO Kenchi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山本 浩之 YAMAMOTO Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 三浦 勝哉 MIURA Katsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 大野 英男 OHNO Hideo; JP
  • 池田 正二 IKEDA Shoji; JP
  • 伊藤 顕知 ITO Kenchi; JP
  • 山本 浩之 YAMAMOTO Hiroyuki; JP
  • 三浦 勝哉 MIURA Katsuya; JP
Mandataires
  • 平木 祐輔 HIRAKI Yusuke; 東京都港区愛宕2丁目5番1号 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
Abrégé
(EN)
Disclosed is a magnetic random access memory for spin torque magnetization reversal applications, which is thermally stable during reading and has a reduced current during writing. A permanent magnet layer (504, 510) having magnetization in a direction opposite to the direction of the magnetization of a fixed layer is arranged on the top and bottom of a magnetoresistance effect element, wherein the magnetoresistance effect element comprises a recording layer (506) which has magnetization in a direction perpendicular to the film surface, a fixed layer (508) of which the magnetization is fixed in one direction that is perpendicular to the film surface, and a non-magnetic barrier layer (507) which is formed between the fixed layer and the recording layer.
(FR)
L'invention concerne une mémoire vive magnétique destinée à des applications d'inversion de l'aimantation d'un couple de rotation. Ladite mémoire est thermiquement stable pendant la lecture et présente un courant réduit pendant l'écriture. Une couche d'aimant permanent (504, 510) dont l'aimantation est opposée à la direction d'aimantation d'une couche fixe est disposée au-dessus et en dessous d'un élément magnétorésistif. L'élément magnétorésistif comprend une couche d'enregistrement (506) dont l'aimantation est perpendiculaire à la surface du film, une couche fixe (508) dont l'aimantation est fixe dans une direction perpendiculaire à la surface du film, et une couche barrière amagnétique (507) formée entre la couche fixe et la couche d'enregistrement.
(JA)
 読出し時に熱的に安定で、かつ書き込み時の電流を低減した、スピントルク磁化反転応用の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 膜面に垂直な方向の磁化を有する記録層506と、膜面に垂直な一方向に磁化が固定された固定層508と、固定層と記録層の間に形成された非磁性障壁層507を有する磁気抵抗効果素子の上下に、固定層の磁化の向きと逆向きの磁化を有する永久磁石層504,510を設ける。
Également publié en tant que
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