Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012004137 - PROCÉDÉ POUR FORMER DES DÉPÔTS DE BRASURE SUR DES SUBSTRATS

Numéro de publication WO/2012/004137
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060580
Date du dépôt international 23.06.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.04.2012
CIB
H01L 21/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H01L 23/498 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
CPC
B23K 1/20
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
1Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
20Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
H01L 21/4853
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4853Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
H01L 2224/11462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
11Manufacturing methods
114by blanket deposition of the material of the bump connector
1146Plating
11462Electroplating
H01L 23/481
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
H01L 23/488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
H01L 23/498
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
Déposants
  • ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Erasmusstraße 20 10553 Berlin, DE (AllExceptUS)
  • LAMPRECHT, Sven [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • MATEJAT, Kai-Jens [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • EWERT, Ingo [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KENNY, Stephen [GB/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • LAMPRECHT, Sven; DE
  • MATEJAT, Kai-Jens; DE
  • EWERT, Ingo; DE
  • KENNY, Stephen; DE
Mandataires
  • WONNEMANN, Jörg; Atotech Deutschland GmbH Erasmusstraße 20 10553 Berlin, DE
Données relatives à la priorité
10168468.605.07.2010EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD TO FORM SOLDER DEPOSITS ON SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER DES DÉPÔTS DE BRASURE SUR DES SUBSTRATS
Abrégé
(EN)
Described is a method of forming a solder deposit on a substrate comprising the following steps i) provide a substrate that includes at least one inner contact area,ii) contact the entire substrate area including the at least one inner contact area with a solution suitable to provide a conductive layer on the substrate surface, iii) form a patterned resist layer, iv) electroplate a solder deposit layer containing a tin or tin alloy onto the inner contact area, v) remove the patterned resist layer, vi) form a solder resist layer having solder resist openings on the substrate surface.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de formation d'un dépôt de brasure sur un substrat comprenant les étapes suivantes i) fournir un substrat qui comprend au moins une zone de contact interne, ii) mettre en contact la zone de substrat totale comprenant l'au moins une zone de contact interne avec une solution adaptée pour produire une couche conductrice sur la surface du substrat, iii) former une couche de réserve modelée, iv) soumettre à galvanoplastie une couche de dépôt de brasure contenant de l'étain ou un alliage d'étain sur la zone de contact interne, v) éliminer la couche de réserve modelée, vi) former une couche de réserve de brasure ayant des ouvertures de réserve de brasure sur la surface du substrat.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international