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Paramétrages

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1. WO2012004136 - PROCÉDÉ POUR FORMER DES DÉPÔTS D'ALLIAGE D'APPORT DE BRASAGE TENDRE SUR DES SUBSTRATS

Numéro de publication WO/2012/004136
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060579
Date du dépôt international 23.06.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.04.2012
CIB
H01L 21/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H01L 23/498 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
CPC
B23K 31/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
31Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
02relating to soldering or welding
H01L 21/3205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
H01L 21/32051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
32051Deposition of metallic or metal-silicide layers
H01L 21/4853
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4853Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
H01L 21/64
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
64Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not peculiar to a single device provided for in groups H01L31/00 - H01L51/00
H01L 2224/03464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
03Manufacturing methods
034by blanket deposition of the material of the bonding area
0346Plating
03464Electroless plating
Déposants
  • ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Erasmusstraße 20 10553 Berlin, DE (AllExceptUS)
  • MATEJAT, Kai-Jens [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • LAMPRECHT, Sven [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • EWERT, Ingo [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • MATEJAT, Kai-Jens; DE
  • LAMPRECHT, Sven; DE
  • EWERT, Ingo; DE
Mandataires
  • WONNEMANN, Jörg; Atotech Deutschland GmbH Erasmusstraße 20 10553 Berlin, DE
Données relatives à la priorité
10168474.405.07.2010EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD TO FORM SOLDER ALLOY DEPOSITS ON SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER DES DÉPÔTS D'ALLIAGE D'APPORT DE BRASAGE TENDRE SUR DES SUBSTRATS
Abrégé
(EN)
Described is a method of forming a solder alloy deposit on a substrate comprising the following steps i) provide a substrate including a surface bearing electrical circuitry that includes at least one inner layer contact pad, ii) form a solder mask layer that is placed on the substrate surface and patterned to expose the at least one contact area, iii) contact the entire substrate area including the solder mask layer and the at least one contact area with a solution suitable to provide a metal seed layer on the substrate surface, iv) form a structured resist layer on the metal seed layer, v) electroplate a first solder material layer containing tin onto the conductive layer, vi) electroplate a second solder material layer onto the first solder material layer, vii) remove the structured resist layer and etch away an amount of the metal seed layer sufficient to remove the metal seed layer from the solder mask layer area and reflow the substrate and in doing so form a solder alloy deposit from the metal seed layer, the first solder material layer and the second solder material layer.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de formation d'un dépôt d'alliage d'apport de brasage tendre sur un substrat comprenant les étapes suivantes : i) l'utilisation d'un substrat comprenant une surface portant une circuiterie électrique qui comprend au moins un plot de contact en couche interne, ii) la formation d'une couche de masque de brasage tendre qui est placée sur la surface du substrat et qui est dessinée pour exposer ladite ou lesdites zones de contact, iii) la mise en contact de la zone entière du substrat comprenant la couche de masque de brasage tendre et ladite ou lesdites zones de contact avec une solution appropriée pour doter la surface du substrat d'une couche de germe métallique, iv) la formation d'une couche de réserve structurée sur la couche de germe métallique, vi) l'électroplacage d'une seconde couche de matière de brasage tendre sur la première couche de matière de brasage tendre, vii) l'élimination de la couche de réserve structurée et l'élimination par gravure d'une quantité de la couche de germe métallique suffisante pour enlever la couche de germe métallique de la zone de couche de masque de brasage tendre et effectuer la refusion du substrat et en faisant cela former un dépôt d'alliage d'apport de brasage tendre à partir de la couche de germe métallique, de la première couche de matière de brasage tendre et de la seconde couche de matière de brasage tendre.
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