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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012003821 - COMPOSANT À TROIS PORTS À COMMANDE IONIQUE

Numéro de publication WO/2012/003821
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/DE2011/001167
Date du dépôt international 03.06.2011
CIB
H01L 39/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
14Dispositifs à supraconductivité permanente
H01L 39/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
22Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
G11C 13/0007
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0007comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
G11C 13/04
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
04using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron, ion beam
G11C 2213/17
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
17Memory cell being a nanowire transistor
G11C 2213/53
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
50Resistive cell structure aspects
53Structure wherein the resistive material being in a transistor, e.g. gate
H01L 39/145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39Devices using superconductivity; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
14Permanent superconductor devices
145Three or more electrode devices
H01L 39/223
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39Devices using superconductivity; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
22Devices comprising a junction of dissimilar materials, e.g. Josephson-effect devices
223Josephson-effect devices
Déposants
  • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; 52425 Jülich, DE (AllExceptUS)
  • POPPE, Ulrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • WEBER, Dieter [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • DIVIN, Yuriy [RU/DE]; DE (UsOnly)
  • FALEY, Mikhail [RU/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • POPPE, Ulrich; DE
  • WEBER, Dieter; DE
  • DIVIN, Yuriy; DE
  • FALEY, Mikhail; DE
Représentant commun
  • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Fachbereich Patente 52425 Jülich, DE
Données relatives à la priorité
10 2010 026 098.305.07.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) IONISCH GESTEUERTES DREITORBAUELEMENT
(EN) IONICALLY CONTROLLED THREE-GATE COMPONENT
(FR) COMPOSANT À TROIS PORTS À COMMANDE IONIQUE
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Dreitorbauelement, welches durch die Bewegung von Ionen schaltbar ist. Dieses umfasst eine Source-Elektrode (3), eine Drain-Elektrode (3) und einen zwischen die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode geschalteten Kanal (2) aus einem Material, dessen elektronische Leitfähigkeit durch Zu- und/oder Abführung von Ionen veränderlich ist. Erfindungsgemäß umfasst das Dreitorbauelement ein mit einer Gate-Elektrode (6) kontaktiertes lonenreservoir (5), welches derart in Verbindung mit dem Kanal steht, dass es bei Beaufschlagung der Gate-Elektrode mit einem Potential Ionen mit dem Kanal auszutauschen vermag. Es wurde erkannt, dass in der Verteilung der insgesamt in lonenreservoir und Kanal vorhandenen Ionen auf lonenreservoir und Kanal Information in dem Dreitorbauelement gespeichert werden kann. Die Verteilung der Ionen auf den Kanal und auf das lonenreservoir ändert sich dann und nur dann, wenn ein entsprechendes treibendes Potential an der Gate-Elektrode angelegt wird. Im Gegensatz zu RRAMs existiert daher kein "time-voltage dilemma".
(EN)
The invention relates to a three-gate component which can be switched by the motion of ions. The three-gate component comprises a source electrode (3), a drain electrode (3), and a channel (2) which is connected between the source electrode and the drain electrode and which is made of a material having an electronic conductivity that can be changed by supplying and/or removing ions. According to the invention, the three-gate component has an ion reservoir (5) which is contacted by means of a gate electrode and is connected to the channel in such a way that the ion reservoir (5) can exchange ions with the channel when a potential is applied to the gate electrode. It has been recognized that information can be stored in the three-gate component in the distribution of the total ions present in the ion reservoir and in the channel between the ion reservoir and the channel. The distribution of the ions between the channel and the ion reservoir changes if and only if a corresponding driving potential is applied to the gate electrode. Therefore, in contrast to RRAMs, there is no time-voltage dilemma.
(FR)
L'invention concerne un composant à trois ports, commutable par déplacement d'ions. Ce composant comprend une électrode source (3), une électrode drain (3) et un canal (2) relié à l'électrode source et à l'électrode drain, formé d'un matériau dont conductivité électronique peut être modifié par apport et/ou retrait d'ions. Selon l'invention, ce composant à trois ports comporte un réservoir d'ions (5) connecté à une électrode de grille (6) et raccordé au canal de telle manière que lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille (6), il devient capable d'échanger des ions avec le canal. On a découvert qu'il était possible d'utiliser la répartition des ions totaux présents entre le réservoir d'ions et le canal pour stocker des informations dans le composant à trois ports. La répartition des ions entre le canal et le réservoir d'ions est modifiée uniquement lorsqu'une tension d'attaque correspondante est appliqué à l'électrode de grille. Ainsi, à la différence des mémoires RRAM, il n'existe pas de "dilemme temps-tension".
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