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Paramétrages

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1. WO2012003611 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/003611
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2010/001428
Date du dépôt international 17.09.2010
CIB
H01L 21/335 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
CPC
H01L 29/267
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
26including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24 ; , e.g. alloys
267in different semiconductor regions ; , e.g. heterojunctions
H01L 29/66462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66446with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
66462with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
H01L 29/7783
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
778with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
7782with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
7783using III-V semiconductor material
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市朝阳区北土城西路3号 No. 3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029, CN (AllExceptUS)
  • 朱慧珑 ZHU, Huilong [US/US]; US (UsOnly)
  • 刘洪刚 LIU, Honggang [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 骆志炯 LUO, Zhijiong [CN/US]; US (UsOnly)
  • 梁擎擎 LIANG, Qingqing [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs
  • 朱慧珑 ZHU, Huilong; US
  • 刘洪刚 LIU, Honggang; CN
  • 骆志炯 LUO, Zhijiong; US
  • 梁擎擎 LIANG, Qingqing; CN
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD; 中国北京市海淀区王庄路1号清华同方科技大厦B座25层 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza No. 1, Wangzhuang Rd. Haidian District Beijing 100083, CN
Données relatives à la priorité
201010227271.207.07.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 半导体器件及其制作方法
Abrégé
(EN)
A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided. The method includes that: epitaxially growing a stack structure comprised of wide band-gap III-V group compound semiconductor layer (1002)/ narrow band-gap III-V group compound semiconductor layer (1003)/ wide band-gap III-V group compound semiconductor layer (1004) on a body semiconductor substrate (1001); forming a gate stack on the stack structure; forming embedded strain zones in the body semiconductor substrate; forming source/drain regions on both sides of the gate stack and in the stack structure.
(FR)
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication. Ledit procédé consiste à faire croître par épitaxie une structure empilée composée d'une couche semi-conductrice de composés des groupes III-V à large bande interdite (1002), d'une couche semi-conductrice de composés des groupes III-V à bande interdite étroite (1003) et d'une couche semi-conductrice de composés des groupes III-V à large bande interdite (1004) sur un substrat semi-conducteur (1001); former un empilement de grille sur la structure empilée; former des zones de déformation intégrées dans le substrat semi-conducteur; et former des régions de source/drain des deux côtés de l'empilement de grille et dans la structure empilée.
(ZH)
提供了一种半导体器件及其制作方法。该方法包括:在体半导体衬底(1001)上外延生长宽带隙III-V族化合物半导体层(1002)/窄带隙III-V族化合物半导体层(1003)/宽带隙III-V族化合物半导体层(1004)的叠层结构;在所述叠层结构上形成栅堆叠;在所述体半导体衬底中形成嵌入式应变区;在所述栅堆叠的两侧、在所述叠层结构中形成源/漏区。
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