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Paramétrages

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1. WO2012003445 - SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'UNIFORMITÉ DE PLASMA

Numéro de publication WO/2012/003445
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/042797
Date du dépôt international 01.07.2011
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/32412
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32412Plasma immersion ion implantation
H01J 37/32532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
H01J 37/32633
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32623Mechanical discharge control means
32633Baffles
Déposants
  • VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US (AllExceptUS)
  • DORAI, Rajesh [IN/US]; US (UsOnly)
  • HADIDI, Kamal [US/US]; US (UsOnly)
  • JAGTAP, Mayur [IN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • DORAI, Rajesh; US
  • HADIDI, Kamal; US
  • JAGTAP, Mayur; US
Mandataires
  • CHOI, Changhoon; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Glloucester, MA 01930, US
Données relatives à la priorité
12/829,49702.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA UNIFORMITY SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'UNIFORMITÉ DE PLASMA
Abrégé
(EN)
A plasma processing tool comprises a plasma chamber configured to generate a plasma from a gas introduced into the chamber where the generated plasma has an electron plasma frequency. A plurality of electrodes disposed within the chamber. Each of the electrodes configured to create a rapidly-rising-electric-field pulse In a portion of the plasma contained in the chamber. Each of said rapidly-rising-electric-field pulses having a rise time substantially equal to or less than the inverse of the electron plasma frequency and a duration of less than the inverse of the ion plasma frequency. In this manner, the electron energy distribution in the generated plasma may be spatially and locally modified thereby affecting the density, composition and temperature of the species in the plasma and consequently the uniformity of the density and composition of ions and neutrals directed at a target substrate.
(FR)
La présente invention a trait à un outil de traitement de plasma qui comprend une chambre plasma configurée de manière à générer un plasma à partir d'un gaz introduit dans la chambre, lequel plasma généré est doté d'une fréquence de plasma des électrons. Une pluralité d'électrodes est disposée à l'intérieur de la chambre. Chacune des électrodes est configurée de manière à créer une impulsion de champ électrique augmentant rapidement dans une partie du plasma contenu dans la chambre. Chacune desdites impulsions de champ électrique augmentant rapidement est dotée d'un temps de montée sensiblement inférieur ou égal à l'inverse de la fréquence de plasma des électrons et une durée inférieure à l'inverse de la fréquence de plasma des ions. De cette manière, la distribution de l'énergie d'électrons dans le plasma généré peut être spatialement et localement modifiée, ce qui permet de la sorte d'influencer la densité, la composition et la température des espèces présentes dans le plasma et, par conséquent, l'uniformité de la densité et de la composition des ions et conducteurs neutres destinés à un substrat cible.
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