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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012003327 - CONTRÔLE DE POINTES DE TENSION PENDANT IMPLANTATION

Numéro de publication WO/2012/003327
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/042610
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
H01J 37/317 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
H01J 37/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
24Circuits non adaptés à une application particulière du tube et non prévus ailleurs
H01J 37/248 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
248Composants associés à l'alimentation haute tension
CPC
H01J 2237/0206
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
02Details
0203Protection arrangements
0206Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
H01J 2237/24535
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
245Detection characterised by the variable being measured
24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
24514Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
24535Beam current
H01J 37/241
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
24Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
241High voltage power supply or regulation circuits
H01J 37/243
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
24Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
243Beam current control or regulation circuits
H01J 37/248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
248Components associated with high voltage supply
H01J 37/3171
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3171for ion implantation
Déposants
  • VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US (AllExceptUS)
  • LUBICKI, Piotr [US/US]; US (UsOnly)
  • KOO, Bon, Woong [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • LUBICKI, Piotr; US
  • KOO, Bon, Woong; US
Mandataires
  • LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US
Données relatives à la priorité
13/160,57315.06.2011US
61/360,73601.07.2010US
61/360,74401.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GLITCH CONTROL DURING IMPLANTATION
(FR) CONTRÔLE DE POINTES DE TENSION PENDANT IMPLANTATION
Abrégé
(EN)
An ion implantation system (200) and method are disclosed in which glitches in voltage are minimised by modifications to the power system of the implanter. These power supply modifications include faster response time, output filtering, improved glitch detect ion and removal of voltage blanking. By minimizing glitches, it is possible to produce solar cells with acceptable dose uniformity without having to pause the scan each time a voltage glitch is detected. For example, by shortening the duration of a voltage to about 20-4:0 milliseconds, dose uniformity within about 3% can be maintained.
(FR)
L'invention concerne un système (200) et un procédé d'implantation d'ions dans lesquels des pointes de tension sont réduites à un minimum par des modifications apportées au système électrique du dispositif d'implantation. Ces modifications d'alimentation électrique comprennent un temps de réponse plus rapide, un filtrage de sortie, un ion amélioré de détection de pointes de tension et l'élimination de suppression de tension. En amenant les pointes de tension à être réduites à un minimum, il est possible de produire des piles solaires ayant une uniformité de dose acceptable sans avoir à interrompre le balayage chaque fois qu'une pointe de tension est détectée. Par exemple, en raccourcissant la durée d'une tension à environ 20-4:0 millisecondes, une uniformité de dose dans les limites d'environ 3 % peut être maintenue.
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