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Paramétrages

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1. WO2012003032 - FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES À PRÉVENTION DU CONTRE DOPAGE

Numéro de publication WO/2012/003032
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/033613
Date du dépôt international 22.04.2011
CIB
H01L 31/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
CPC
H01L 31/0745
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
547Monocrystalline silicon PV cells
Y02P 70/521
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
52Manufacturing of products or systems for producing renewable energy
521Photovoltaic generators
Déposants
  • SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 3939 North First Street San Jose, California 95134, US (AllExceptUS)
  • DENNIS, Timothy D. [US/US]; US (UsOnly)
  • LI, Bo [US/US]; US (UsOnly)
  • COUSINS, Peter John [AU/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • DENNIS, Timothy D.; US
  • LI, Bo; US
  • COUSINS, Peter John; US
Mandataires
  • BENEDICTO, Patrick D.; Okamoto & Benedicto Llp P.o. Box 641330 San Jose, California 95164-1330, US
Données relatives à la priorité
12/828,57301.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FABRICATION OF SOLAR CELLS WITH COUNTER DOPING PREVENTION
(FR) FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES À PRÉVENTION DU CONTRE DOPAGE
Abrégé
(EN)
A solar cell fabrication process includes printing of dopant sources (105,106) over a polysilicon layer (104) over backside of a solar cell substrate. The dopant sources (105,106) are cured to diffuse dopants from the dopant sources (105,106) into the polysilicon layer (104) to form diffusion regions (107,108), and to crosslink the dopant sources (105,106) to make them resistant to a subsequently performed texturing process. To prevent counter doping, dopants from one of the dopant sources (105,106) are prevented from outgassing and diffusing into the other dopant source. For example, phosphorus from an N-type dopant source (106) is prevented from diffusing to a P-type dopant source (105) comprising boron.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires qui comprend l'impression de sources de dopant (105, 106) sur une couche de polysilicium (104) sur la face arrière d'un substrat de cellule solaire. Les sources de dopant (105, 106) sont chauffées pour diffuser des dopants, provenant des sources de dopant (105, 106), dans la couche de polysilicium (104), afin de former des régions de diffusion (107, 108) et de réticuler les sources de dopant (105, 106) afin de les rendre résistantes au processus de texturage qui est réalisé ensuite. Afin d'empêcher le contre dopage, on évite que des dopants provenant de l'une des sources de dopant (105, 106) ne produisent des gaz et diffusent dans l'autre source de dopant. Par exemple, on évite que le phosphore d'une source de dopant (106) de type N ne diffuse dans une source de dopant (105) de type P contenant du bore.
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