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Paramétrages

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1. WO2012002629 - MODULE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE

Numéro de publication WO/2012/002629
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2010/008953
Date du dépôt international 14.12.2010
CIB
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/64 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
64Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
CPC
H01L 2224/45144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
45001Core members of the connector
45099Material
451with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
45138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
45144Gold (Au) as principal constituent
H01L 2224/48227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
48227connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
H01L 33/641
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
641characterized by the materials
H01L 33/642
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
642characterized by the shape
Déposants
  • 연세대학교 산학협력단 INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY [KR/KR]; 서울특별시 서대문구 신촌동 134 134 Sinchon-dong, Seodaemun-gu Seoul 120-749, KR (AllExceptUS)
  • 김영주 KIM, Young Joo [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 이문호 LEE, Moon Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 신민호 SHIN, Min Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 임동수 LIM, Dong Soo [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • 김영주 KIM, Young Joo; KR
  • 이문호 LEE, Moon Ho; KR
  • 신민호 SHIN, Min Ho; KR
  • 임동수 LIM, Dong Soo; KR
Mandataires
  • 특허법인 우인 WOOIN PATENT & LAW FIRM; 서울특별시 강남구 역삼로 157, 2층 (역삼동, 중평빌딩) (Yeoksam-dong, Jungpyeong Bldg.) 2Fl. 157 Yeoksam-ro, Gangnam-gu Seoul 135-925, KR
Données relatives à la priorité
10-2010-006392202.07.2010KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING DIODE MODULE
(FR) MODULE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(KO) 발광다이오드 모듈
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a light-emitting diode (LED) module capable of effectively dissipating heat generated by an LED device. For this purpose, the LED module according to the present invention comprises: a metal substrate; an insulation layer formed on a first region of the metal substrate; a first conductive layer formed on a second region of the metal substrate; a second conductive layer formed on the insulation layer; a first lead frame formed on the first conductive layer; a second lead frame formed on the second conductive layer; and an LED device disposed on the first and second lead frames.
(FR)
La présente invention concerne un module de diode électroluminescente pouvant dissiper efficacement la chaleur produite par un dispositif à DEL. À cet effet, le module de DEL selon la présente invention comprend: un substrat métallique; une couche d'isolation formée sur une première région du substrat métallique; une première couche conductrice formée sur une seconde région du substrat métallique; une seconde couche conductrice formée sur la couche d'isolation; une première grille de connexion formée sur la première couche conductrice; une seconde grille de connexion formée sur la seconde couche conductrice; et un dispositif à DEL disposé sur les première et seconde grilles de connexion.
(KO)
본 발명은 발광다이오드 소자로부터 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 발광다이오드 모듈에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 발광다이오드 모듈은, 메탈 기판과; 상기 메탈 기판의 제1 영역에 형성된 절연층과; 상기 메탈 기판의 제2 영역에 형성된 제1 도전층과; 상기 절연층 상에 형성된 제2 도전층과; 상기 제1 도전층 상에 형성된 제1 리드 프레임과; 상기 제2 도전층 상에 형성된 제2 리드 프레임과; 상기 제1 및 제2 리드 프레임 상에 배치되는 발광다이오드 소자를 포함한다.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international