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Paramétrages

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1. WO2012002545 - DISPOSITIF POUR PRODUIRE DES GRAINS DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES GRAINS DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM, ET GRAINS DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM

Numéro de publication WO/2012/002545
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065221
Date du dépôt international 01.07.2011
CIB
C30B 29/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38Nitrures
C01B 21/072 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
21Azote; Ses composés
06Composés binaires de l'azote avec les métaux, le silicium ou le bore
072avec l'aluminium
C30B 25/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
C30B 29/60 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
60caractérisés par la forme
CPC
C30B 25/005
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
005Growth of whiskers or needles
C30B 29/605
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
605Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
C30B 29/607
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
607Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders
C30B 29/66
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
66Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders
Déposants
  • 国立大学法人静岡大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY [JP/JP]; 静岡県静岡市駿河区大谷836 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529, JP (AllExceptUS)
  • 原 和彦 HARA Kazuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 原 和彦 HARA Kazuhiko; JP
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; 東京都千代田区丸の内二丁目1番1号丸の内 MY PLAZA(明治安田生命ビル) 9階 創英国際特許法律事務所 SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité
2010-15250602.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS, METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS, AND ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS
(FR) DISPOSITIF POUR PRODUIRE DES GRAINS DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES GRAINS DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM, ET GRAINS DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM
(JA) 窒化アルミニウム結晶粒子の製造装置、窒化アルミニウム結晶粒子の製造方法および窒化アルミニウム結晶粒子
Abrégé
(EN)
Provided are aluminum nitride crystal grains in which each individual grain has a grain size of 0.05 µm to 1 µm and a shape selected from any of a hexagonal prism, a hexagonal drum shape, a hexagonal pyramid, or two hexagonal pyramids where the base surfaces thereof are joined together. A production device (1A) comprises: a first reaction chamber (7a) for generating aluminum chloride gas by reacting hydrogen chloride gas and aluminum heated to a temperature that is the melting point of the aluminum or lower; a second reaction chamber (2a) for growing aluminum nitride crystal grains by reacting ammonia gas and the aluminum chloride gas; a heater (3) for heating the first reaction chamber (7a) and the second reaction chamber (2a); and a shroud (9) for separating the ammonia gas and the aluminum chloride gas up to the second reaction chamber (2a). As a result, a device for producing aluminum nitride crystal grains can be provided with which aluminum nitride crystal grains that are single crystals can be efficiently produced.
(FR)
La présente invention concerne des grains de cristaux de nitrure d'aluminium dans lesquels chaque grain individuel a une taille de grain de 0,05 µm à 1 µm et une forme choisie parmi l'un quelconque d'un prisme hexagonal, une forme de cylindre hexagonal, une pyramide hexagonale, ou deux pyramides hexagonales dont les surfaces de base sont assemblées conjointement. Un dispositif de production (1A) comprend : une première chambre de réaction (7a) pour générer du gaz de chlorure d'aluminium par réaction de gaz de chlorure d'hydrogène et d'aluminium chauffé à une température qui est le point de fusion de l'aluminium ou moins ; une deuxième chambre de réaction (2a) pour faire croître des grains de cristaux de nitrure d'aluminium par réaction de gaz d'ammoniac et de gaz de chlorure d'aluminium ; un dispositif de chauffage (3) pour chauffer la première chambre de réaction (7a) et la deuxième chambre de réaction (2a) ; et un épaulement (9) pour séparer le gaz d'ammoniac et le gaz de chlorure d'aluminium jusqu'à la deuxième chambre de réaction (2a). En conséquence, l'invention concerne un dispositif pour produire des grains de cristaux de nitrure d'aluminium avec lequel des grains de cristaux de nitrure d'aluminium qui sont des monocristaux peuvent être efficacement produits.
(JA)
粒子の形状が各々独立した六角柱、六角鼓形、六角錐台、及び、2つの六角錐台の底面同士が結合された形状のうち何れかであり、粒径が0.05μm以上1μm以下である、窒化アルミニウム結晶粒子が提供される。また、製造装置1Aは、塩化水素ガスと、融点以下の温度に加熱されたアルミニウムとを反応させて、塩化アルミニウムガスを発生させる第1の反応室7aと、アンモニアガスと塩化アルミニウムガスとを反応させて、窒化アルミニウム結晶粒子を成長させる第2の反応室2aと、第1の反応室7a及び第2の反応室2aを加熱する加熱装置3と、アンモニアガスと塩化アルミニウムガスとを第2の反応室2aまで隔離するシュラウド9とを備える。これにより、単結晶の窒化アルミニウム結晶粒子を効率よく製造することができる窒化アルミニウム結晶粒子の製造装置を提供できる。
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