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Paramétrages

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1. WO2012002499 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2012/002499
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065069
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H01L 21/68742
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68742characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Déposants
  • 株式会社アルバック ULVAC, Inc. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
  • 藤井 佳詞 FUJII Yoshinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 藤井 佳詞 FUJII Yoshinori; JP
Mandataires
  • 志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
Données relatives à la priorité
2010-14994530.06.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE TREATING DEVICE AND SUBSTRATE COOLING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板冷却方法
Abrégé
(EN)
The disclosed substrate treating device comprises: a chamber (11); a stage (12), which is arranged in the chamber (11), has a surface (12a) whereon groove sections (13) are provided, has a substrate (2) placed on the surface (12a) so as to form minute gaps (19), and which cools the substrate (2) by coming into contact with the substrate (2) and carrying out heat exchange; a gas supply unit which is located to the upper side of a first surface (2a) of the substrate (2) placed on the stage (12) and which introduces a prescribed gas into a first space (α) which is the space inside the chamber (11); and a control unit (17) which controls a first pressure (P1) and a second pressure (P2) so that the first pressure (P1), which is the pressure of the first space (α), is greater than the second pressure (P2), which is the pressure of a second space (β) that is located to the lower side of the substrate (2) and includes the groove sections (13) and the gaps (19) provided between the stage (12) and a second surface (2b) of the substrate (2).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui comprend : une chambre (11) ; un étage (12), disposé dans la chambre (11), qui possède une surface (12a) sur laquelle des sections rainures (13) sont prévues, il possède un substrat (2) placé sur la surface (12a) de manière à former de très petits interstices (19) et refroidit le substrat (2) en venant en prise avec lui (2) et en réalisant un échange de chaleur ; une unité d'alimentation en gaz qui se trouve sur la face supérieure d'une première surface (2a) du substrat (2) placée sur l'étage (12) et qui introduit un gaz prescrit dans un premier espace (α) qui est l'espace intérieur de la chambre (11) ; et une unité de commande (17), qui commande une première pression (P1) et une seconde pression (P2) de telle sorte que la première pression (P1), qui est la pression du premier espace (α), soit supérieure à la seconde pression (P2), qui est la pression d'un second espace (β) situé sur la face inférieure du substrat (2) et comprend les sections rainures (13) et les interstices (19) prévus entre l'étage (12) et une seconde surface (2b) du substrat (2).
(JA)
 本発明の基板処理装置は、チャンバ(11)と、溝部(13)が設けられた面(12a)を有し、前記チャンバ(11)内に配置され、前記面(12a)上に微小な隙間部(19)を形成するように基板(2)が載置され、前記基板(2)と接触して熱交換することにより前記基板(2)を冷却するステージ(12)と、前記ステージ(12)上に載置された前記基板(2)の第1面(2a)よりも上側に位置するとともに前記チャンバ(11)内の空間である第一空間(α)に所定のガスを導入するガス供給部と、前記第一空間(α)の第一圧力(P)が、前記基板(2)よりも下側に位置するとともに前記ステージ(12)と前記基板(2)の第2面(2b)との間に設けられた前記隙間部(19)及び前記溝部(13)を含む第二空間(β)の第二圧力(P)よりも大きくなるように、前記第一圧力(P)及び前記第二圧力(P)を制御する制御部(17)とを含む。
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