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Paramétrages

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1. WO2012002383 - MÉCANISME DE SUPPORT DE CIBLE

Numéro de publication WO/2012/002383
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/064801
Date du dépôt international 28.06.2011
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C23C 14/3407
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
H01J 37/3405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
H01J 37/342
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
342Hollow targets
H01J 37/3435
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
Déposants
  • アルバックテクノ株式会社 ULVAC TECHNO, Ltd. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2609-5 2609-5, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538555, JP (AllExceptUS)
  • 石丸 泰 ISHIMARU Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 大山 典生 OYAMA Norio [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 石丸 泰 ISHIMARU Yasushi; JP
  • 大山 典生 OYAMA Norio; JP
Mandataires
  • 志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
Données relatives à la priorité
2010-14661728.06.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TARGET MOUNTING MECHANISM
(FR) MÉCANISME DE SUPPORT DE CIBLE
(JA) ターゲット取付機構
Abrégé
(EN)
A target mounting mechanism detachably mounts a cylindrical target, which is used in a spattering device, to connection sections of cathodes. The target is provided with cylindrical base bodies and also with a target member which covers the base bodies, and the target has a center region in which the target member is disposed and which has connection regions from which the base bodies are exposed at the opposite ends of the target which are located outside the center region. The connection sections of the cathodes each comprise a substantially cylindrical clamp in which the connection section and the connection region are present. A first engagement protrusion section formed in each of the connection regions of the target and a second engagement protrusion section formed in the inner peripheral surface of the clamp are engaged with each other when the connection section and the connection region move relative to each other only in the circumferential direction of the target while the connection section and the connection region are present within the clamp.
(FR)
La présente invention se rapporte à un mécanisme de support de cible qui fixe de façon amovible une cible cylindrique, qui est utilisée dans un dispositif de pulvérisation, aux sections de raccordement des cathodes. La cible est pourvue de corps de base cylindriques et également d'un élément de cible qui recouvre les corps de base et la cible présente une région centrale dans laquelle est disposé l'élément de cible et qui présente des régions de raccordement à partir desquelles les corps de base sont exposés au niveau des extrémités opposées de la cible qui sont situées à l'extérieur de la région centrale. Les sections de raccordement des cathodes comprennent chacune une bride sensiblement cylindrique dans laquelle se trouvent la section de raccordement et la région de raccordement. Une première section de saillie de mise en prise formée dans chaque région de raccordement de la cible et une seconde section de saillie de mise en prise formée sur la surface périphérique interne de la bride sont mises en prise l'une avec l'autre lorsque la section de raccordement et la région de raccordement se déplacent l'une par rapport à l'autre seulement dans la direction circonférentielle de la cible tandis que la section de raccordement et la région de raccordement se trouvent dans la bride.
(JA)
 このターゲット取付機構では、スパッタリング装置において用いられる円筒形のターゲットをカソードの連結部に対して着脱可能に取り付ける。前記ターゲットは、円筒形の基体と、この基体を覆うターゲット材とを備えるとともに、前記ターゲット材が配された中央領域と、この中央領域を除く両端側で前記基体が露出する連結領域と、を有する。前記カソードの連結部には、この連結部と前記連結領域とを内在させる略円筒形のクランプが形成される。そして、前記ターゲットの前記連結領域に形成される第一の係合凸部と、前記クランプの内周面に形成される第二の係合凸部とが、前記連結部及び前記連結領域が前記クランプに内在した状態で、前記ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動することにより、係合されている。
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