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1. WO2012002346 - LIQUIDE CHIMIQUE SERVANT À FORMER UNE PELLICULE PROTECTRICE POUR UN MOTIF DE PLAQUETTE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DU LIQUIDE CHIMIQUE, ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE

Numéro de publication WO/2012/002346
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/064725
Date du dépôt international 28.06.2011
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
G03F 7/32 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
CPC
H01L 21/02057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Déposants
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
  • 大日本スクリーン製造株式会社 DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-cho 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP (AllExceptUS)
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
  • 杉本 憲司 SUGIMOTO, Kenji; null (UsOnly)
  • 中村 一樹 NAKAMURA, Kazuki; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
  • 杉本 憲司 SUGIMOTO, Kenji; null
  • 中村 一樹 NAKAMURA, Kazuki; null
Mandataires
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
Données relatives à la priorité
2010-14871830.06.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CHEMICAL LIQUID FOR FORMING PROTECTIVE FILM FOR WAFER PATTERN, METHOD FOR PREPARING CHEMICAL LIQUID, AND METHOD FOR TREATING WAFER
(FR) LIQUIDE CHIMIQUE SERVANT À FORMER UNE PELLICULE PROTECTRICE POUR UN MOTIF DE PLAQUETTE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DU LIQUIDE CHIMIQUE, ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE
(JA) ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a chemical liquid relating to the washing of the surface of a wafer having an irregular pattern formed thereon and applicable to a method in which after a wafer is immersed in water, the wafer is pulled up from water and exposed to a gas atmosphere containing a vaporized "chemical liquid for forming a water-repellent protective film". The chemical liquid is used when washing a silicon wafer having a fine irregular pattern on a surface thereof for forming a water-repellent protective film on the surface having the irregular pattern, and the chemical liquid is supplied to the surface having the irregular pattern in the form of a vapor after introducing an OH group into the surface having the irregular pattern and contains: 93.5 to 97.499 % by mass of at least one fluorine-containing solvent selected from a group consisting of hydrofluorocarbon, hydrofluoroether, perfluorocarbon, and hydrochlorofluorocarbon; 2 to 5% by mass of at least one glycol ether acetate selected from a group consisting of ethylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; 0.5 to 5% by mass of at least one silazane compound selected from a group consisting of hexamethyldisilazane and tetramethyldisilazane; and 0.001 to 0.25% by mass of at least one acid selected from a group consisting of trifluoroacetic acid, trifluoroacetic anhydride, trimethylsilyl trifluoroacetate, and dimethylsilyl trifluoroacetate.
(FR)
L'invention concerne un liquide chimique servant au lavage de la surface d'une plaquette sur laquelle est formé un motif irrégulier et applicable à un procédé dans lequel après qu'une plaquette a été immergée dans l'eau, la plaquette est retirée de l'eau et exposée à une atmosphère gazeuse contenant un « liquide chimique servant à former une pellicule protectrice hydrofuge » vaporisé. Le liquide chimique est utilisé lorsqu'on lave une plaquette de silicium dont une surface comporte un motif irrégulier fin afin de former une pellicule protectrice hydrofuge sur la surface comportant le motif irrégulier, et le liquide chimique est appliqué sur la surface comportant le motif irrégulier sous forme d'une vapeur après avoir introduit un groupe OH dans la surface comportant le motif irrégulier et contient : 93,5 à 97,499 % en masse d'au moins un solvant contenant du fluor sélectionné parmi le groupe constitué d'hydrofluorocarbone, d'hydrofluoroéther, de perfluorocarbone, et d'hydrochlorofluorocarbone ; 2 à 5 % en masse d'au moins un acétate d'éther de glycol sélectionné parmi le groupe constitué de l'acétate de monométhyléther d'éthylène glycol et de l'acétate de monométhyléther de propylèneglycol ; 0,5 à 5 % en masse d'au moins un composé de silazane sélectionné parmi le groupe constitué d'hexaméthyldisilazane et de tétraméthyldisilazane ; et 0,001 à 0,25 % en masse d'au moins un acide sélectionné parmi le groupe constitué de l'acide trifluoroacétique, de l'anhydride trifluoroacétique, du trifluoroacétate de triméthylsilyle, et du trifluoroacétate de diméthylsilyle.
(JA)
【課題】凹凸パターンが形成されたウェハ表面の洗浄に関し、ウェハを水に浸漬後にウェハを水から引き上げて、ウェハを蒸気化された「撥水性保護膜を形成するための薬液」を含んだガス雰囲気にさらす方法に適用できる薬液を提供する。 【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの洗浄時に、該凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、前記薬液は凹凸パターン表面にOH基が導入された後に、蒸気として凹凸パターン表面に供給されるものであり、 ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤を93.5~97.499質量%; エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテルアセテートを2~5質量%; ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物を0.5~5質量%; トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸を0.001~0.25質量% 含むものとすること。
Également publié en tant que
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