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Paramétrages

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1. WO2012002337 - POUDRE, CORPS FRITTÉ ET CIBLE DE PULVÉRISATION CONTENANT CHACUN DES ÉLÉMENTS CU, IN, GA ET SE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE POUDRE

Numéro de publication WO/2012/002337
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/064713
Date du dépôt international 27.06.2011
CIB
C01B 19/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
19Sélénium; Tellure; Leurs composés
B22F 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
B22F 9/08 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
9Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
02par des procédés physiques
06à partir d'un matériau liquide
08par coulée, p.ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation
C22C 9/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
9Alliages à base de cuivre
C22C 28/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
28Alliages à base d'un métal non mentionné dans les groupes C22C5/-C22C27/110
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C01B 19/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
19Selenium; Tellurium; Compounds thereof
002Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
C01P 2002/85
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
80defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
85by XPS, EDX or EDAX data
C01P 2004/61
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
60Particles characterised by their size
61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
C04B 2235/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
40Metallic constituents or additives not added as binding phase
C04B 2235/407
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
40Metallic constituents or additives not added as binding phase
407Copper
Déposants
  • 株式会社コベルコ科研 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通1丁目5番1号 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073, JP (AllExceptUS)
  • 兵庫県 HYOGO PREFECTURE [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区下山手通5丁目10番1号 10-1, Shimoyamatedori 5-chome, Chuo-ku, Kobe-shi Hyogo 6508567, JP (AllExceptUS)
  • 得平 雅也 EHIRA Masaya; null (UsOnly)
  • 南部 旭 NAMBU Akira; null (UsOnly)
  • 柏井 茂雄 KASHIWAI Shigeo; null (UsOnly)
  • 福住 正文 FUKUZUMI Masafumi; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 得平 雅也 EHIRA Masaya; null
  • 南部 旭 NAMBU Akira; null
  • 柏井 茂雄 KASHIWAI Shigeo; null
  • 福住 正文 FUKUZUMI Masafumi; null
Mandataires
  • 小栗 昌平 OGURI Shohei; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング10階 栄光特許事務所 Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité
2010-14761829.06.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POWDER, SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET, EACH CONTAINING ELEMENTS CU, IN, GA AND SE, AND METHOD FOR PRODUCING THE POWDER
(FR) POUDRE, CORPS FRITTÉ ET CIBLE DE PULVÉRISATION CONTENANT CHACUN DES ÉLÉMENTS CU, IN, GA ET SE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE POUDRE
(JA) Cu、In、GaおよびSeの元素を含有する粉末、焼結体およびスパッタリングターゲット、並びに上記粉末の製造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed are: a Cu-In-Ga-Se powder which contains Cu, In, Ga and Se and is free from occurrence of cracks during sintering or processing; and a sintered body and a sputtering target, each of which uses the Cu-In-Ga-Se powder. Specifically disclosed is a powder containing Cu, In, Ga and Se, which is characterized by containing a Cu-In-Ga-Se compound and/or a Cu-In-Se compound in an amount of 60% by mass or more in total. It is preferable that the powder contains 20% by mass or less of an In-Se compound and/or 20% by mass or less of a Cu-In compound.
(FR)
Cette invention concerne : une poudre de Cu-In-Ga-Se qui contient du Cu, In, Ga et Se et est à l'abri de l'apparition de fissures pendant le frittage ou le traitement; et un corps fritté et une cible de pulvérisation utilisant chacun ladite poudre Cu-In-Ga-Se. Plus spécifiquement, cette invention concerne une poudre contenant du Cu, In, Ga et Se, qui est caractérisée en ce qu'elle contient un composé de Cu-In-Ga-Se et/ou un composé de Cu-In-Se en une quantité de 60 % en poids ou plus au total. De préférence, la poudre contient 20 % en poids ou moins d'un composé d'In-Se et/ou 20 % en poids d'un composé de Cu-In.
(JA)
 本発明は、焼結時や加工時に割れの発生しないCu、In、GaおよびSeを含有するCu-In-Ga-Se系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。本発明は、Cu、In、GaおよびSeの元素を含有する粉末であって、Cu-In-Ga-Se系化合物および/またはCu-In-Se系化合物を、合計で60質量%以上含有することを特徴とする粉末に関する。本発明の粉末は、In-Se系化合物を20質量%以下および/またはCu-In系化合物を20質量%以下含有することが好ましい。
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