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1. WO2012002243 - AGENT DE FORMATION DE FILM PROTECTEUR HYDROFUGE, SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UN FILM PROTECTEUR HYDROFUGE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE PLAQUETTES À L'AIDE D'UNE SOLUTION CHIMIQUE

Numéro de publication WO/2012/002243
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/064370
Date du dépôt international 23.06.2011
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
H01L 21/02057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
H01L 21/0206
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
0206during, before or after processing of insulating layers
H01L 21/02068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
H01L 21/3105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
H01L 21/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
Déposants
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
  • 七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null
  • 七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null
Mandataires
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
Données relatives à la priorité
2010-14665528.06.2010JP
2011-04011825.02.2011JP
2011-10863413.05.2011JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) WATER-REPELLENT PROTECTIVE FILM FORMATION AGENT, CHEMICAL SOLUTION FOR FORMING WATER-REPELLENT PROTECTIVE FILM, AND WAFER CLEANING METHOD USING CHEMICAL SOLUTION
(FR) AGENT DE FORMATION DE FILM PROTECTEUR HYDROFUGE, SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UN FILM PROTECTEUR HYDROFUGE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE PLAQUETTES À L'AIDE D'UNE SOLUTION CHIMIQUE
(JA) 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法
Abrégé
(EN)
[Problem] To provide a water-repellent protective film formation agent, a chemical solution that contains the agent and is used for forming a water-repellent protective film, and a cleaning method for wafers that uses the chemical solution, wherein it is possible in the manufacturing of semiconductor devices to efficiently clean wafers while preventing pattern collapse of: wafers (1) in which a substance containing silicon atoms is included on at least the surface of the recesses in an unevenly patterned (2) wafer surface; or wafers (1) in which at least one type of substance selected from a group consisting of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride, and ruthenium, is included on part of at least the surface of the recesses in an unevenly patterned (2) wafer surface. [Solution] A water-repellent protective film formation agent that is used in wafer cleaning for forming a water-repellent protective film on at least the surface of the recesses of wafers, the agent being a silicon compound represented by the formula [1]. [1] R1aSiX4-a
(FR)
[Problème] Produire un agent de formation de film protecteur hydrofuge, une solution chimique qui contient ledit agent et qui est utilisée pour former un film protecteur hydrofuge et un procédé de nettoyage de plaquettes dans lequel la solution chimique est utilisée, ce qui permet de nettoyer efficacement les plaquettes, lors de la fabrication de dispositifs à semi-conducteur, tout en empêchant l'affaissement des motifs : de plaquettes (1) dans lesquelles une substance contenant des atomes de silicium est présente sur au moins la surface des creux d'une plaquette à motif irrégulier (2); ou de plaquettes (1) dans lesquelles au moins un type de substance choisie dans un groupe constitué de titane, nitrure de titane, tungstène, aluminium, cuivre, étain, nitrure de tantale et ruthénium, est présente sur une partie d'au moins la surface des creux d'une plaquette à motif irrégulier (2). [Solution] Un agent de formation de film protecteur hydrofuge qui est utilisé dans le nettoyage de plaquettes pour la formation d'un film protecteur hydrofuge sur au moins la surface des creux des plaquettes, l'agent étant un composé de silicium représenté par la formule [1]. [1] R1aSiX4-a
(JA)
【課題】半導体デバイス製造において、凹凸パターン(2)の少なくとも凹部表面にケイ素元素を含む物質を含むウェハ(1)、又は、該凹凸パターン(2)の少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の物質を含むウェハ(1)のパターンの倒れを防止しながらウェハを洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な撥水性保護膜形成剤、及び、該剤を含む撥水性保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】上記ウェハの洗浄において、前記ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式[1]で表されるケイ素化合物である。 R1aSiX4-a [1]
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