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Paramétrages

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1. WO2012002155 - PROCÉDÉ D'EXTRACTION LASER ET APPAREIL D'EXTRACTION LASER

Numéro de publication WO/2012/002155
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/063777
Date du dépôt international 16.06.2011
CIB
H01L 21/268 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
C23C 16/01 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
01sur des substrats temporaires, p.ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
C30B 33/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
08Gravure
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
B23K 26/3568
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
352for surface treatment
3568Modifying rugosity
B23K 26/50
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
B23K 26/57
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
57the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
C30B 33/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
06Joining of crystals
H01L 21/0272
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0272for lift-off processes
H01L 21/268
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
268using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Déposants
  • ウシオ電機株式会社 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 2-6-1,Ote-machi,Chiyoda-ku Tokyo 1008150, JP (AllExceptUS)
  • 松田 僚三 MATSUDA Ryozo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 鳴海 恵司 NARUMI Keiji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 田中 一也 TANAKA Kazuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 松田 僚三 MATSUDA Ryozo; JP
  • 鳴海 恵司 NARUMI Keiji; JP
  • 田中 一也 TANAKA Kazuya; JP
Mandataires
  • 長澤俊一郎 NAGASAWA Shunichirou; 東京都荒川区西日暮里四丁目23番3号きすなビル4階4A Room 4A,Kisuna Bldg.,23-3, Nishi-nippori 4-chome, Arakawa-ku Tokyo 1160013, JP
Données relatives à la priorité
2010-14736229.06.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LASER LIFT-OFF METHOD AND LASER LIFT-OFF APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ D'EXTRACTION LASER ET APPAREIL D'EXTRACTION LASER
(JA) レーザリフトオフ方法及びレーザリフトオフ装置
Abrégé
(EN)
Disclosed are a laser lift-off method and a laser lift-off apparatus, wherein a material layer formed on a substrate can be peeled from the substrate without generating cracks in the material layer formed on the substrate. In order to peel the material layer (2) from the substrate (1) at the interface between the substrate and the material layer, a pulsed laser beam is applied, through the substrate (1), to a work (3) wherein the material layer (2) is formed on the substrate (1), while constantly changing the irradiation region on the work (3), such that adjacent irradiation regions of the work (3) overlap each other. Respective laser beams in the overlapping irradiation region are set at levels having energy that exceeds a decomposition threshold value needed to peel the material layer (2) from the substrate (1), thereby having the material layer reliably peeled from the substrate without generating cracks in the material layer formed on the substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'extraction laser et un appareil d'extraction laser, une couche de matériau formée sur un substrat pouvant être arrachée du substrat sans générer de fissures dans la couche de matériau formée sur le substrat. Afin d'arracher la couche de matériau (2) du substrat (1) à l'interface entre le substrat et la couche de matériau, un faisceau laser à impulsion est appliqué, à travers le substrat (1), à un ouvrage (3), la couche de matériau (2) étant formée sur le substrat (1), tout en changeant constamment la zone d'irradiation sur l'ouvrage (3), de sorte que des zones d'irradiation adjacentes de l'ouvrage (3) se chevauchent. Les faisceaux laser respectifs dans la zone d'irradiation de chevauchement sont réglés à des niveaux dont l'énergie dépasse une valeur de seuil de décomposition nécessaire pour arracher la couche de matériau (2) du substrat (1), ce qui permet ainsi d'arracher la couche de matériau du substrat de manière fiable sans générer de fissures dans la couche de matériau formée sur le substrat.
(JA)
 基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにする。基板1と前記材料層2との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板1上に材料層2が形成されたワーク3に対し、基板1を通して、パルスレーザ光をワーク3に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク3において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層2を基板1から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。
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