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1. WO2012002145 - SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UN FILM PROTECTEUR HYDROFUGE

Numéro de publication WO/2012/002145
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/063634
Date du dépôt international 15.06.2011
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
C07F 7/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
7Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
02Silicon compounds
08Compounds having one or more C—Si linkages
10containing nitrogen ; having a Si-N linkage
C07F 7/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
7Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
02Silicon compounds
08Compounds having one or more C—Si linkages
12Organo silicon halides
C09D 7/63
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
7Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00
40Additives
60non-macromolecular
63organic
H01L 21/02057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
H01L 21/0206
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
0206during, before or after processing of insulating layers
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Déposants
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
  • 七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
  • 七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null
Mandataires
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
Données relatives à la priorité
2010-14959630.06.2010JP
2011-10832313.05.2011JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CHEMICAL SOLUTION FOR FORMING WATER-REPELLENT PROTECTIVE FILM
(FR) SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UN FILM PROTECTEUR HYDROFUGE
(JA) 撥水性保護膜形成用薬液
Abrégé
(EN)
Disclosed are a method, in the manufacture of a semiconductor device, for washing a wafer (1) whilst preventing pattern collapse in the wafer (1), which includes elemental silicon on at least the surface of concave sections of a convex-concave pattern (2) formed on the surface thereof, and a chemical solution for forming a water-repelling protective film which can be efficiently washed, the chemical solution being used in the washing method. The disclosed chemical solution for forming a water-repellent protective film is for forming a protective film (10) on at least the surface of concave sections in a convex-concave pattern (2) when a wafer (1) is washed, said wafer having a convex-concave pattern (2) on the surface thereof, with at least part of the convex-concave pattern (2) containing elemental silicon, and the chemical solution containing a dialkylsilyl compound represented by general formula (1), and not containing an acid or base. (1) R2 (H) SiX
(FR)
L'invention concerne un procédé utilisé dans la fabrication d'un dispositif semi-conducteur pour laver une plaquette (1) tout en empêchant la destruction du motif formé sur la plaquette (1), laquelle comprend du silicium élémentaire au moins sur la surface de sections concaves d'un motif convexe-concave (2) formé sur sa surface. L'invention concerne également une solution chimique pour former un film protecteur hydrofuge qui peut être efficacement lavé, ladite solution étant utilisée dans le procédé de lavage. La solution chimique décrite est destinée à former un film protecteur hydrofuge (10) au moins sur la surface de sections concaves d'un motif convexe-concave (2) quand une plaquette (1) est lavée, ladite plaquette comportant un motif convexe-concave (2) sur sa surface, au moins une partie dudit motif (2) contenant du silicium élémentaire. La solution chimique contient un composé dialkylsilylique représenté par la formule générale R2(H)SiX (1), mais ne contient ni acide ni base.
(JA)
【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターン(2)を形成されたウェハの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハ(1)のパターンの倒れを防止しながらウェハ(1)を洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な保護膜形成用薬液及び該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】表面に凹凸パターン(2)を有し該凹凸パターン(2)の少なくとも一部がケイ素元素を含むウェハ(1)の洗浄時に該凹凸パターン(2)の少なくとも凹部表面に保護膜(10)を形成するための撥水性保護膜形成用薬液であり、下記一般式[1]で表されるジアルキルシリル化合物を含有し、酸及び塩基を含有しない。 R2(H)SiX  [1]
Également publié en tant que
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