Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le dimanche 05.04.2020 à 10:00 AM CEST
Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012001883 - PROCÉDÉ D'IRRADIATION PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE

Numéro de publication WO/2012/001883
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/003214
Date du dépôt international 08.06.2011
CIB
H01J 37/147 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
04Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
147Dispositions pour diriger ou dévier la décharge le long d'une trajectoire déterminée
H01J 37/244 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
244Détecteurs; Composants ou circuits associés
H01J 37/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
26Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions
28avec faisceaux de balayage
CPC
H01J 2201/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
02Arrangements for eliminating deleterious effects
025charging
H01J 2237/24592
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
245Detection characterised by the variable being measured
24592Inspection and quality control of devices
H01J 2237/281
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
26Electron or ion microscopes
28Scanning microscopes
2809characterised by the imaging problems involved
281Bottom of trenches or holes
H01J 37/147
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
147Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
H01J 37/244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
244Detectors; Associated components or circuits therefor
H01J 37/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
28with scanning beams
Déposants
  • 株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP (AllExceptUS)
  • 小林 金也 KOBAYASHI, Kinya [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 横須賀 俊之 YOKOSUKA, Toshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 李 燦 LEE, Chahn [KR/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 小林 金也 KOBAYASHI, Kinya; JP
  • 横須賀 俊之 YOKOSUKA, Toshiyuki; JP
  • 李 燦 LEE, Chahn; JP
Mandataires
  • 井上 学 INOUE, Manabu; 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 株式会社 日立製作所内 c/o HITACHI,LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220, JP
Données relatives à la priorité
2010-14846330.06.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRON BEAM IRRADIATION METHOD AND SCANNING ELECTRONIC MICROSCOPE
(FR) PROCÉDÉ D'IRRADIATION PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE
(JA) 電子ビームの照射方法及び走査電子顕微鏡
Abrégé
(EN)
Provided is an electron beam scanning method for forming an electric field for appropriately guiding electrons emitted from a pattern to the outside of the pattern, and also provided is a scanning electronic microscope. When an electron beam for forming charge is irradiated to a sample, a first electron beam is irradiated to a first position (1) and a second position (2) having the center (104) of a pattern formed on the sample as a symmetrical point, and is then additionally irradiated to two central positions (3, 4) between the first and second irradiation position, the two central positions (3, 4) being on the same radius centered on the symmetrical point as are the first and second positions. Further, after that, the irradiation of the first electron beam to the central positions between existing scanning positions on the radius is repeated.
(FR)
L'invention concerne un procédé de balayage par faisceau d'électrons visant à former un champ électrique afin de guider de manière appropriée des électrons émis à partir d'un motif vers l'extérieur du motif, et concerne également un microscope électronique à balayage. Lorsqu'un faisceau d'électrons destiné à former une charge est rayonné vers un échantillon, un premier faisceau d'électrons est rayonné vers une première position (1) et une deuxième position (2) ayant comme point de symétrie le centre (104) d'un motif formé sur l'échantillon, puis est en plus rayonné vers deux positions centrales (3, 4) situées entre la première et la deuxième position d'irradiation, les deux positions centrales (3, 4) se situant sur le même rayon centré sur le point de symétrie que la première et la deuxième position. En outre, après cela, l'irradiation du premier faisceau d'électrons vers les positions centrales entre des positions existantes de balayage sur ledit rayon est répétée.
(JA)
本発明は、パターンから放出される電子を適正にパターン外に導くための電界を形成する電子ビーム走査方法、及び走査電子顕微鏡の提供を目的とする。上記目的を達成するために、帯電を形成するための電子ビームを、試料に照射する際に、試料上に形成されたパターンのパターン中心(104)を対称点とする第1の位置(1)と第2の位置(2)に、第1の電子ビームを照射した後、対称点を中心とした第1と第2の位置と同一の半径上であって、第1と第2の照射位置との間の2つの中心位置(3,4)に更に第1の電子ビームを照射し、更にその後、半径上の既走査位置間の中心位置への第1の電子ビームの照射を繰り返す。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international