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1. WO2012001767 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT RAYONNANT POUR MONTAGE DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2012/001767
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2010/061034
Date du dépôt international 29.06.2010
CIB
H01L 23/373 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 33/64 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
64Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01S 5/024 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
024Dispositions pour le refroidissement
CPC
H01L 23/3736
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
3736Metallic materials
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 33/641
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
641characterized by the materials
Déposants
  • 株式会社 高松メッキ TAKAMATSU PLATING CO.,LTD. [JP/JP]; 富山県富山市八尾町保内2-10 2-10, Yasuuchi Yatsuo-machi Toyama-shi, Toyama 9392366, JP (AllExceptUS)
  • 山口 雅弘 YAMAGUCHI Masahiro [JP/JP]; JP
  • 大下 文夫 OSHITA Fumio [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 山口 雅弘 YAMAGUCHI Masahiro; JP
  • 大下 文夫 OSHITA Fumio; JP
Mandataires
  • 恒田 勇 TUNEDA Isamu; 富山県富山市宝町1-3-17 1-3-17, Takara-machi, Toyama-shi Toyama 9300007, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING RADIATING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR MOUNTING
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT RAYONNANT POUR MONTAGE DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体搭載用放熱基板の製造方法
Abrégé
(EN)
A process for producing a radiating substrate for semiconductor mounting is provided in which a clad metal is not used or is used only as a base located at the center of layers and in which metal layers are formed so as to be unreleasably integrated. The radiating substrate hence suffers no interlaminar separation, retains stable heat dissipation properties and mechanical strength, and has high reliability. The process is characterized by forming one or more metal layers by plating on each surface of a base material serving as the layer-thickness center, so that the metal layers are vertically symmetrical with respect to the center. Since no clad metal is used, except for the base material, and the metal layers are formed on the base material as the center by plating so as to be unreleasably integrated, no interlaminar separation occurs. This configuration, coupled with the structure including the precisely formed vertical symmetry, enables the radiating substrate for semiconductor mounting to retain stable heat dissipation properties and mechanical strength and have high reliability.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de production d'un substrat rayonnant pour montage de semi-conducteurs, sans utilisation de métal de revêtement sauf, éventuellement, en tant que base située au centre de couches. Dans ledit procédé, des couches de métal sont formées de manière à être solidarisées. Ainsi, le substrat rayonnant ne souffre pas de séparation interlaminaire, il assure la stabilité des propriétés de dissipation thermique et de la résistance mécanique, et il présente une grande fiabilité. Le procédé de l'invention est caractérisé par la formation d'une ou plusieurs couches de métal par placage sur chaque surface d'un matériau de base formant centre dans le sens de l'épaisseur des couches, de telle manière que les couches de métal sont verticalement symétriques par rapport au centre. Du fait que le procédé de l'invention n'utilise un métal de revêtement que pour le matériau de base et que les couches de métal sont formées par placage sur le matériau de base formant centre de manière à être solidarisées, la séparation interlaminaire est éliminée. Cette configuration, associée à la structure dotée d'une symétrie verticale formée avec précision, permet au substrat rayonnant pour montage de semi-conducteurs d'assurer la stabilité des propriétés de dissipation thermique et de la résistance mécanique et de présenter une grande fiabilité.
(JA)
【課題】合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。【解決手段】層厚の中心部となる基母材の両面に1以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする。【効果】基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。
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