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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012001689 - CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/001689
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/IL2011/000518
Date du dépôt international 29.06.2011
CIB
H01G 9/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
20Dispositifs photosensibles
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01L 31/032 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
032comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L31/0272-H01L31/0312169
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
C03C 17/347
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
34with at least two coatings having different compositions
3411with at least two coatings of inorganic materials
3429at least one of the coatings being a non-oxide coating
3464comprising a chalcogenide
347comprising a sulfide or oxysulfide
C03C 17/3476
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
34with at least two coatings having different compositions
3411with at least two coatings of inorganic materials
3429at least one of the coatings being a non-oxide coating
3464comprising a chalcogenide
3476comprising a selenide or telluride
C03C 2218/32
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2218Methods for coating glass
30Aspects of methods for coating glass not covered above
32After-treatment
H01G 9/204
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
9Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
20Light-sensitive devices
2027comprising an oxide semiconductor electrode
204comprising zinc oxides, e.g. ZnO
H01G 9/2054
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
9Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
20Light-sensitive devices
2054comprising a semiconductor electrode comprising AII-BVI compounds, e.g. CdTe, CdSe, ZnTe, ZnSe, with or without impurities, e.g. doping materials
H01L 31/022483
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
022483composed of zinc oxide [ZnO]
Déposants
  • YEDA RESEARCH AND DEVELOPMENT CO. LTD. [IL/IL]; At The Weizmann Institute of Science P.O.Box 95 76100 Rehovot, IL (AllExceptUS)
  • HODES, Gary [IL/IL]; IL (UsOnly)
  • EDRI, Eran [IL/IL]; IL (UsOnly)
  • RABINOVICH, Elena [IL/IL]; IL (UsOnly)
Inventeurs
  • HODES, Gary; IL
  • EDRI, Eran; IL
  • RABINOVICH, Elena; IL
Mandataires
  • REINHOLD COHN AND PARTNERS; P.O.B. 13239 61131 Tel-Aviv, IL
Données relatives à la priorité
61/359,53229.06.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A method is presented for use in manufacture of a semiconductor device, such as a photovoltaic cell. The method comprises: providing a structure comprising a ZnO layer; applying a surface treatment to said structure for a certain time period to form a layer of ZnS on said ZnO layer; and depositing an active structure on said ZnS layer. The active structure may be a light absorbing structure, including a light absorbing semiconductor or a molecular light absorbing dye. The provision of the ZnS buffer layer between the ZnO layer and the active structure improves the device performance.
(FR)
La présente invention concerne un procédé destiné à la fabrication d'un dispositif semi-conducteur tel qu'une cellule photovoltaïque. Selon ce procédé: on prend une structure comprenant une couche de ZnO; on soumet ladite structure à un traitement de surface pendant un certain temps de façon à former une couche de ZnS sur ladite couche de ZnO; et on dépose une structure active sur ladite couche de ZnS. La structure active peut être une structure absorbant la lumière, incluant un semi-conducteur absorbant la lumière ou une teinture moléculaire absorbant la lumière. La présence de la couche tampon de ZnS entre la couche de ZnO et la structure active améliore le rendement du dispositif.
Également publié en tant que
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