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Paramétrages

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1. WO2012001424 - ELECTRODES TRANSPARENTES POUR DISPOSITIFS À FILM MINCE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2012/001424
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/GB2011/051245
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/44 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
44Détails des dispositifs
H01L 51/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
CPC
H01L 51/0021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0021Formation of conductors
H01L 51/422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
4213Comprising organic semiconductor-inorganic semiconductor hetero-junctions
422Majority carrier devices using sensitisation of widebandgap semiconductors, e.g. TiO2
H01L 51/424
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
424comprising organic semiconductor-organic semiconductor hetero-junctions
H01L 51/4253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
4253comprising bulk hetero-junctions, e.g. interpenetrating networks
H01L 51/442
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
44Details of devices
441Electrodes
442transparent electrodes, e.g. ITO, TCO
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
549organic PV cells
Déposants
  • UNIVERSITY OF WARWICK [GB/GB]; Coventry Warwickshire CV4 7AL, GB (AllExceptUS)
  • HATTON, Ross, Andrew [GB/GB]; GB (UsOnly)
  • STEC, Helena, Maria [PL/GB]; GB (UsOnly)
  • JONES, Timothy, Simon [GB/GB]; GB (UsOnly)
Inventeurs
  • HATTON, Ross, Andrew; GB
  • STEC, Helena, Maria; GB
  • JONES, Timothy, Simon; GB
Mandataires
  • DEHNS; St Brides House 10 Salisbury Square London EC4Y 8JD, GB
Données relatives à la priorité
1011118.530.06.2010GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TRANSPARENT ELECTRODES FOR SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES
(FR) ELECTRODES TRANSPARENTES POUR DISPOSITIFS À FILM MINCE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A method of producing a transparent electrode suitable for use in an organic semiconductor photovoltaic device. First and second silanes (3) are deposited from the vapour phase on a substrate (1) and bind to the surface of the substrate. A metal film (4) is then deposited from the vapour phase and binds to both the first and second silanes so as to produce a transparent metal layer having a thickness which is no greater than about 15 nanometres. The first silane is a non-amino functional silane and the second silane is an aminofunctional silane. The electrode may be flexible, using a polymer substrate (1). The metal film (4) may be provided with a plurality of apertures (5), provided for example by masking the substrate with microspheres (2) while depositing the metal and subsequently removing the microspheres, and / or annealing the metal so that apertures appear.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de production d'une électrode transparente apte à être utilisée dans un dispositif photovoltaïque à semi-conducteurs organiques. Des premier et second silanes (3) sont déposés à partir de la phase vapeur sur un substrat (1) et se lient à la surface du substrat. Un film métallique (4) est ensuite déposé à partir de la phase vapeur, et se lie à la fois au premier et au second silanes de façon à produire une couche métallique transparente ayant une épaisseur qui n'est pas supérieure à environ 15 nanomètres. Le premier silane est un silane non-amino-fonctionnel et le second silane est un silane amino-fonctionnel. L'électrode peut être souple, à l'aide d'un substrat polymère (1). Le film métallique (4) peut comporter une pluralité d'ouvertures (5), réalisées par exemple par masquage du substrat avec des microsphères (2) lors du dépôt du métal, puis retrait des microsphères, et/ou recuit du métal de telle sorte que des ouvertures apparaissent.
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