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Paramétrages

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1. WO2012001094 - POUDRES DE SÉLÉNIURE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/001094
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060996
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
C01B 19/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
19Sélénium; Tellure; Leurs composés
H01L 31/032 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
032comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L31/0272-H01L31/0312169
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01B 19/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
19Selenium; Tellurium; Compounds thereof
002Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
C01P 2004/03
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
01depicted by an image
03obtained by SEM
C01P 2004/64
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
60Particles characterised by their size
64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
Déposants
  • UMICORE [BE/BE]; Rue du Marais 31 B-1000 Brussels, BE (AllExceptUS)
  • AMINIAN, Hossein [CA/CA]; CA (UsOnly)
Inventeurs
  • AMINIAN, Hossein; CA
Mandataires
  • PILATE, André; Umicore - Patent Department Kasteelstraat 7 B-2250 Olen, BE
Données relatives à la priorité
10006875.802.07.2010EP
61/344,37408.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SELENIDE POWDERS AND MANUFACTURING PROCESS
(FR) POUDRES DE SÉLÉNIURE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
This invention relates to selenide powders for use in dispersions, pastes or inks suitable for the manufacture of photovoltaic cells such as CIGS or CIGSS based solar cells. A synthesis process is proposed for the manufacture of submicron or nanoparticulate powder comprising selenides of a metal or a metal mixture, comprising the steps of: - selecting an oxygen-bearing precursor of said metal or metal mixture; - mixing said oxygen-bearing precursor with an at least stoichiometric amount of selenium; and, - reducing the mixture with H2 at a temperature sufficient to ensure the reaction with the oxygen of the precursor, and the formation of selenides. The powders can be deposited on a substrate and annealed without the need for a separate selenization step. The use of H2Se as a Se source, which is a most toxic gas, is thus avoided.
(FR)
Cette invention porte sur des poudres de séléniure destinées à être utilisées dans des dispersions, des pâtes ou des encres appropriées pour la fabrication de cellules photovoltaïques telles que des photopiles à base de CIGS ou de CIGSS. L'invention porte sur un procédé de synthèse pour la fabrication de poudre submicronique ou nanoparticulaire comprenant des séléniures d'un métal ou d'un mélange de métaux, comprenant les étapes consistant à : choisir un précurseur renfermant de l'oxygène dudit métal ou mélange de métaux ; mélanger ledit précurseur renfermant de l'oxygène avec une quantité au moins stœchiométrique de sélénium ; et effectuer la réduction du mélange avec H2 à une température suffisante pour garantir la réaction avec l'oxygène du précurseur et la formation de séléniures. Les poudres peuvent être déposées sur un substrat et recuites sans nécessiter une étape de sélénisation séparée. L'utilisation d'H2Se comme source de Se, qui est un gaz des plus toxiques, est ainsi évitée.
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