Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012000815 - MODIFICATION DE COUCHES DE SILICIUM FORMÉES À PARTIR DE COMPOSITIONS CONTENANT DU SILANE

Numéro de publication WO/2012/000815
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060206
Date du dépôt international 20.06.2011
CIB
C23C 18/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
02par décomposition thermique
12caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
C23C 18/1204
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
1204inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
C23C 18/1212
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
1204inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
1208Oxides, e.g. ceramics
1212Zeolites, glasses
C23C 18/1225
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
1225Deposition of multilayers of inorganic material
C23C 18/1295
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
125Process of deposition of the inorganic material
1295with after-treatment of the deposited inorganic material
C23C 18/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
14Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation ; or by mixed irradiation sources
C23C 18/143
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
14Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation ; or by mixed irradiation sources
143Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
Déposants
  • EVONIK DEGUSSA GMBH [DE/DE]; Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen, DE (AllExceptUS)
  • STÜTZEL, Bernhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • FAHRNER, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • STÜTZEL, Bernhard; DE
  • FAHRNER, Wolfgang; DE
Données relatives à la priorité
102010030696.730.06.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) MODIFIZIERUNG VON SILICIUMSCHICHTEN AUS SILAN-HALTIGEN FORMULIERUNGEN
(EN) MODIFICATION OF SILICON LAYERS FORMED FROM SILANE-CONTAINING FORMULATIONS
(FR) MODIFICATION DE COUCHES DE SILICIUM FORMÉES À PARTIR DE COMPOSITIONS CONTENANT DU SILANE
Abrégé
(DE)
Verfahren zur Herstellung mindestens einer auf einem Substrat angeordneten Siliziumschicht, wobei mindestens eine der Siliciumschichten Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt Suboxidstrukturen aufweist, umfassend die Schritte:(a) Bereitstellen eines Substrates, (b) Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung, (c) Aufbringen der Formulierung auf das Substrat, (d) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des beschichteten Substrats, (e) Behandeln der nach Schritt (d) erhaltenen Schicht mit Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff und/oder O3, Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung, und (f) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (e) erhaltenen beschichteten Substrats, unter Bildung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche aufweist, oder umfassend die Schritte: (a') Bereitstellen eines Substrates, (b') Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung und enthaltend Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff und/oder O3, Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung, (c') Aufbringen der Formulierung auf das Substrat, und (d') Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (c') erhaltenen beschichteten Substrats, unter Bildung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, die insgesamt Suboxidstrukturen aufweist.
(EN)
The invention relates to a method for producing at least one silicon layer arranged on a substrate, at least one of the silicon layers having suboxide structures on its surface or throughout. The method comprises the following steps: (a) making a substrate available, (b) making a formulation available which contains at least one silicon compound, (c) applying said formulation to the substrate, (d) irradiating and/or heat-treating the coated substrate, (e) treating the layer obtained according to step (d) with oxygen in the form of elemental oxygen and/or O3, carbon dioxide, one or more oxygen-containing compound(s) or a mixture thereof in pure form or in the form of a liquid or gaseous mixture, and (f) irradiating and/or heat-treating the coated substrate obtained according to step (e), while producing an at least partially polymorphous layer that consists mainly of silicon and the surface of which has suboxide structures, or comprises the steps: (a') making a substrate available, (b') making a formulation available which contains at least one silicon compound and which contains oxygen in the form of elemental oxygen and/or O3, carbon dioxide, one or more oxygen-containing compound(s) or a mixture thereof in pure form or in the form of a liquid or gaseous mixture, (c') applying the formulation to the substrate, and (d') irradiating and/or heat-treating the coated substrate obtained according to step (c') while producing an at least partially polymorphous layer that consists mainly of silicon and that has suboxide structures throughout.
(FR)
L'invention concerne un procédé de préparation d'au moins une couche de silicium appliquée sur un substrat, au moins une des couches de silicium présentant des structures de suboxyde sur sa surface ou dans son ensemble, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : (a) préparation d'un substrat, (b) préparation d'une composition contenant au moins un composé de silicium, (c) application de la composition sur le substrat, (d) exposition à un rayonnement et/ou traitement thermique du substrat revêtu, (e) traitement de la couche obtenue suite à l'étape (d) avec de l'oxygène sous forme d'oxygène élémentaire et/ou de O3, du dioxyde de carbone, un ou plusieurs composés contenant de l'oxygène ou un mélange de ces composés sous forme pure ou sous forme d'un mélange liquide ou gazeux, et (f) exposition à un rayonnement et/ou traitement thermique du substrat revêtu obtenu à l'issue de l'étape (e) avec formation d'une couche principalement constituée de silicium et au moins en partie polymorphe qui présente des structures de suboxyde sur sa surface, ou comprenant les étapes suivantes : (a') préparation d'un substrat, (b') préparation d'une composition contenant au moins un composé de silicium et contenant de l'oxygène sous forme d'oxygène élémentaire et/ou de O3, du dioxyde de carbone, un ou plusieurs composés contenant de l'oxygène ou un mélange de ces composés sous forme pure ou sous forme d'un mélange liquide ou gazeux, (c') application de la composition sur le substrat, (d') exposition à un rayonnement et/ou traitement thermique du substrat revêtu obtenu à l'étape (c') avec formation d'une couche principalement constituée de silicium et au moins en partie polymorphe et qui présente, dans son ensemble, des structures de suboxyde.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international