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1. WO2012000284 - STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE CONTRAINTE À HAUTE TENEUR EN GERMANIUM FORMÉE SUR UN SUBSTRAT ISOLANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/000284
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2010/079247
Date du dépôt international 29.11.2010
CIB
H01L 21/76 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 31/0232 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0232Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
CPC
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
H01L 29/1054
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
1025Channel region of field-effect devices
1029of field-effect transistors
1033with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
1054with a variation of the composition, e.g. channel with strained layer for increasing the mobility
H01L 29/78684
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78684having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
H01L 29/78687
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78684having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
78687with a multilayer structure or superlattice structure
Déposants
  • 清华大学 TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; 中国北京市海淀区清华园 Qinghuayuan Haidian District Beijing 100084, CN (AllExceptUS)
  • 王敬 WANG, Jing [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 许军 XU, Jun [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 郭磊 GUO, Lei [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs
  • 王敬 WANG, Jing; CN
  • 许军 XU, Jun; CN
  • 郭磊 GUO, Lei; CN
Mandataires
  • 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC; 中国北京市清华园清华大学照澜院商业楼301室 Room 301, Trade Building, Zhaolanyuan, Tsinghua University Haidian Beijing 100084, CN
Données relatives à la priorité
201010212085.129.06.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING HIGH GERMANIUM STRAIN LAYER FORMED ON INSULATING SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE CONTRAINTE À HAUTE TENEUR EN GERMANIUM FORMÉE SUR UN SUBSTRAT ISOLANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种具有在绝缘衬底上形成高GE应变层的半导体结构及其制造方法
Abrégé
(EN)
A semiconductor structure which has a high germanium strain layer formed on an insulating substrate layer and a manufacturing method thereof are provided. The semiconductor structure has a substrate layer (110), an insulation layer (120) formed on the substrate layer (110), a strain film layer (130) formed on the insulation layer (120), a high germanium strain layer (140) formed on the strain film layer(130), and a gate stack layer (160) formed on the high germanium strain layer (140). Interface between the insulation layer (120) and the high germanium strain layer (140) can be effectively improved by providing the strain film layer (130) between the insulation layer (120) and the high germanium strain layer (140).
(FR)
Cette invention concerne une structure de semi-conducteur comprenant une couche de contrainte à haute teneur en germanium formée sur un substrat isolant, et son procédé de fabrication. Ladite structure de semi-conducteur comprend une couche de substrat (110), une couche isolante (120) formée sur la couche de substrat (110), une couche de film de contrainte (130) formée sur la couche isolante (120), une couche de contrainte à haute teneur en germanium (140) formée sur la couche de film de contrainte (130), et une couche d'empilement de grille (160) formée sur la couche de contrainte à haute teneur en germanium (140). L'interface entre la couche isolante (120) et la couche de contrainte à haute teneur en germanium (140) peut être efficacement améliorée en utilisant la couche de film de contrainte (130) entre la couche isolante (120) et la couche de contrainte à haute teneur en germanium (140).
Également publié en tant que
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