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Paramétrages

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1. WO2012000114 - DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES À SUBSTRATS ÉLASTIQUES

Numéro de publication WO/2012/000114
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CA2011/050399
Date du dépôt international 29.06.2011
CIB
H01L 29/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
H01L 23/488 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
H01L 29/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
CPC
F21K 9/20
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
9Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
20Light sources comprising attachment means
F21K 9/275
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
9Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
20Light sources comprising attachment means
27Retrofit light sources for lighting devices with two fittings for each light source, e.g. for substitution of fluorescent tubes
275Details of bases or housings, i.e. the parts between the light-generating element and the end caps; Arrangement of components within bases or housings
F21K 9/278
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
9Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
20Light sources comprising attachment means
27Retrofit light sources for lighting devices with two fittings for each light source, e.g. for substitution of fluorescent tubes
278Arrangement or mounting of circuit elements integrated in the light source
F21K 9/64
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
9Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
64using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
F21K 9/65
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
9Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
65specially adapted for changing the characteristics or the distribution of the light, e.g. by adjustment of parts
F21K 9/66
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
9Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
66Details of globes or covers forming part of the light source
Déposants
  • COOLEDGE LIGHTING INC. [CA/CA]; Unit 1 - 3751 North Fraser Way Burnaby British Columbia V5J 5G4, CA (AllExceptUS)
  • TISCHLER, Michael [US/US]; US (UsOnly)
  • SCHICK, Philippe [CA/CA]; CA (UsOnly)
  • ASHDOWN, Ian [CA/CA]; CA (UsOnly)
  • SHEEN, Calvin Wade [US/US]; US (UsOnly)
  • JUNGWIRTH, Paul [CA/CA]; CA (UsOnly)
Inventeurs
  • TISCHLER, Michael; US
  • SCHICK, Philippe; CA
  • ASHDOWN, Ian; CA
  • SHEEN, Calvin Wade; US
  • JUNGWIRTH, Paul; CA
Mandataires
  • MBM INTELLECTUAL PROPERTY LAW LLP; 700 - 700 West Pender Street Vancouver, British Columbia V6C 1G8, CA
Données relatives à la priorité
61/359,46729.06.2010US
61/363,17909.07.2010US
61/376,70725.08.2010US
61/390,12805.10.2010US
61/393,02714.10.2010US
61/433,24916.01.2011US
61/445,41622.02.2011US
61/447,68028.02.2011US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRONIC DEVICES WITH YIELDING SUBSTRATES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES À SUBSTRATS ÉLASTIQUES
Abrégé
(EN)
In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.
(FR)
Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne l'adhésion directe d'une puce semi-conductrice sur un substrat élastique au moyen d'un adhésif activé par pression et ce nonobstant toute non planéité de la surface de la puce semi-conductrice ou toute non coplanarité des contacts de la puce semi-conductrice.
Également publié en tant que
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