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1. WO2012000015 - SYSTÈME DE CONTACT MÉTALLIQUE POUR CELLULES SOLAIRES

Numéro de publication WO/2012/000015
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/AU2011/000586
Date du dépôt international 17.05.2011
CIB
H01L 21/44 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
44Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428177
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
CPC
H01L 31/02021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02016Circuit arrangements of general character for the devices
02019for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02021for solar cells
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/02363
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
02363of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Déposants
  • NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED [AU/AU]; ACN 000263 025 Rupert Myers Building, Level 2, Gate 14, Barker Street, UNSW Sydney, New South Wales 2052, AU (AllExceptUS)
  • LENNON, Alison Joan [AU/AU]; AU (UsOnly)
  • LU, Pei Hsuan; AU (UsOnly)
  • CHEN, Yang [CN/AU]; AU (UsOnly)
Inventeurs
  • LENNON, Alison Joan; AU
  • LU, Pei Hsuan; AU
  • CHEN, Yang; AU
Mandataires
  • F B RICE & CO; Level 23 44 Market Street Sydney, NSW 2000, AU
Données relatives à la priorité
201090296402.07.2010AU
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METAL CONTACT SCHEME FOR SOLAR CELLS
(FR) SYSTÈME DE CONTACT MÉTALLIQUE POUR CELLULES SOLAIRES
Abrégé
(EN)
A method of forming point metal electrical contacts to a semiconductor surface of a semiconductor device is provided. In a first step a first metal layer is formed over the semiconductor surface. The first metal layer is then anodised to create a porous metal-oxide layer formed over the semiconductor surface. The pores in the porous metal-oxide layer will thus form an array of openings in the porous metal-oxide layer. A contact metal layer is then formed over the porous metal-oxide layer such that parts of the contact metal layer extend into openings of the array of openings. The contact metal layer electrically contacts the semiconductor surface through the array of openings in the porous metal-oxide layer. A dielectric layer may optionally be formed over the semiconductor surface and the porous metal-oxide layer the formed over the dielectric layer and the contact metal then contacts the semiconductor surface through the dielectric layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation des contacts électriques métalliques ponctuels sur la surface du semiconducteur d'un dispositif semiconducteur. Dans une première étape, une première couche métallique est formée sur la surface du semiconducteur. La première couche métallique est ensuite anodisée pour créer une couche métal-oxyde poreuse formée sur la surface du semiconducteur. Les pores de la couche métal-oxyde poreuse forment donc un réseau d'ouvertures dans la couche métal-oxyde poreuse. Une couche métallique de contact est ensuite formée sur la couche métal-oxyde poreuse de telle sorte que des parties de la couche métallique de contact s'étendent dans des ouvertures du réseau d'ouvertures. La couche métallique de contact établit un contact électrique avec la surface du semiconducteur au travers du réseau d'ouvertures dans la couche métal-oxyde poreuse. Une couche diélectrique peut optionnellement être formée sur la surface du semiconducteur, la couche métal-oxyde poreuse étant ensuite formée sur la couche diélectrique et le métal de contact établissant les contacts avec la surface du semiconducteur au travers de la couche diélectrique.
Également publié en tant que
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