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1. (WO2011163534) PROCÉDÉ POUR LA FORMATION D'UNE ANODE DE NOIR D'ARGENT D'UNE CELLULE SOLAIRE À SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/163534 N° de la demande internationale : PCT/US2011/041721
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 24.06.2011
CIB :
H01B 1/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1
Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
20
Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur
22
le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
Déposants :
PRINCE, Alistair, Graeme [GB/GB]; GB (UsOnly)
WHITTLE, Ben [GB/GB]; GB (UsOnly)
E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, Delaware 19898, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
PRINCE, Alistair, Graeme; GB
WHITTLE, Ben; GB
Mandataire :
CARTY, Sherry, M.; E. I. du Pont de Nemours and Company Legal Patent Records Center 4417 Lancaster Pike Wilmington, Delaware 19805, US
Données relatives à la priorité :
61/358,14324.06.2010US
Titre (EN) PROCESS FOR THE FORMATION OF A SILVER BACK ANODE OF A SILICON SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FORMATION D'UNE ANODE DE NOIR D'ARGENT D'UNE CELLULE SOLAIRE À SILICIUM
Abrégé :
(EN) A process for the formation of a silver back anode of a silicon solar cell wherein a silver paste comprising particulate silver, an organic vehicle and glass frit comprising at least one antimony oxide is applied in a silver back anode pattern on the back-side of a p-type silicon wafer having an aluminum back-side metallization and fired.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour la formation d'une anode au noir d'argent d'une cellule solaire à silicium, dans lequel une pâte d'argent comprenant de l'argent particulaire, un véhicule organique et du verre fritté comprenant au moins un oxyde d'antimoine est appliquée dans un motif d'anode de noir d'argent sur le côté arrière d'une tranche de silicium de type p ayant une métallisation côté arrière d'aluminium et cuite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)