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1. (WO2011163299) DISÉLÉNIURE DE CUIVRE ET D'INDIUM (CIS) NANOCRISTALLIN ET COUCHES D'ABSORBEUR EN ALLIAGES À BASE D'ENCRE POUR PHOTOPILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/163299 N° de la demande internationale : PCT/US2011/041349
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 22.06.2011
CIB :
H01L 31/042 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
ANDERSON, Timothy, James [US/US]; US (UsOnly)
PARK, Chinho [KR/US]; US (UsOnly)
KRISHNAN, Rangarajan [IN/US]; US (UsOnly)
FARVA, Umme [IN/IN]; IN (UsOnly)
UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 223 Grinter Hall Gainesville, FL 32611, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
ANDERSON, Timothy, James; US
PARK, Chinho; US
KRISHNAN, Rangarajan; US
FARVA, Umme; IN
Mandataire :
BUESE, Mark, A.; Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk P.O. Box 142950 Gainesville, FL 32614-2950, US
Données relatives à la priorité :
61/357,17022.06.2010US
Titre (EN) NANOCRYSTALLINE COPPER INDIUM DISELENIDE (CIS) AND INK-BASED ALLOYS ABSORBER LAYERS FOR SOLAR CELLS
(FR) DISÉLÉNIURE DE CUIVRE ET D'INDIUM (CIS) NANOCRISTALLIN ET COUCHES D'ABSORBEUR EN ALLIAGES À BASE D'ENCRE POUR PHOTOPILES
Abrégé :
(EN) Embodiments of the invention are to a copper indium disclenide (CIS) comprising nanoparticle where the nanoparticle includes a CIS phase and a second phase comprising a copper selenide. The CIS comprising nanoparticles are free of surfactants or binding agents, display a narrow size distribution and are 30 to 500 nm in cross section. In an embodiment of the invention, the CIS comprising nanoparticles are combined with a solvent to fonn an ink. In another embodiment of the invention, the ink can be used for screen or ink -jet printing a precursor layer that can be annealed to a CIS comprising absorber layer for a photovoltaic device.
(FR) Selon des modes de réalisation, l'invention porte sur une nanoparticule comportant du diséléniure de cuivre et d'indium (CIS), la nanoparticule comprenant une phase de CIS et une seconde phase comportant un séléniure de cuivre. Les nanoparticules comportant du CIS sont exemptes de tensioactifs ou d'agents liants, présentent une étroite distribution de taille et une section transversale de 30 à 500 nm. Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules comportant du CIS sont combinées avec un solvant pour former une encre. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, l'encre peut être utilisée pour la sérigraphie ou l'impression par jet d'encre d'une couche de précurseur qui peut être recuite en une couche d'absorbeur comportant du CIS pour un dispositif photovoltaïque.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)