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1. (WO2011163153) DÉPÔT DE SULFURE MÉTALLIQUE AU MOYEN DE THIOURÉES ALKYLÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/163153    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/041137
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 21.06.2011
CIB :
C23C 18/12 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : AVANTOR PERFORMANCE MATERIALS, INC. [US/US]; 222 Red School Lane Phillipsburg, NJ 08865 (US) (Tous Sauf US).
CASKEY, Douglas, C., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHEPHERD, Krupanand, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHANG, Jason, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CASKEY, Douglas, C., Jr.; (US).
SHEPHERD, Krupanand, S.; (US).
CHANG, Jason, C.; (US)
Mandataire : HARRINGTON, James F.; Hoffmann & Baron, LLP 6900 Jericho Turnpike Syosset, NY 11791 (US)
Données relatives à la priorité :
61/357,146 22.06.2010 US
Titre (EN) METAL SULFIDE DEPOSITION USING ALKYLATED THIOUREAS
(FR) DÉPÔT DE SULFURE MÉTALLIQUE AU MOYEN DE THIOURÉES ALKYLÉES
Abrégé : front page image
(EN)A process for the producing a metal sulfide film on a substrate by a chemical bath deposition process by immersing the substrate into an aqueous chemical bath solution containing a water soluble source of hydroxide ions, a water soluble metal salt of the metal of the sulfide to be deposited on the substrate, and a N-monoalkyl thiourea for a time and at a temperature suitable for production of the metal sulfide film on the substrate surface, and removing from the solution the substrate having thereon the metal sulfide film.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film de sulfure métallique sur un substrat selon un procédé de dépôt en bain chimique. Le procédé comprend l'étape consistant à immerger le substrat dans une solution aqueuse de bain chimique contenant une source hydrosoluble d'ions hydroxydes, un sel métallique hydrosoluble contenant le métal du sulfure à déposer sur le substrat, et une thiourée N-monoalkylée, pendant une durée et à une température appropriées pour produire le film de sulfure métallique sur la surface du substrat, et l'étape consistant à retirer de la solution le substrat sur lequel se trouve le film de sulfure métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)