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1. (WO2011162791) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS AVEC RÉGION ACTIVE AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/162791    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/059945
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 10.12.2010
CIB :
H01L 33/18 (2010.01)
Déposants : INVENLUK CORPORATION [US/US]; 9650 Telstar Ave El Monte, CA 91731 (US) (Tous Sauf US).
YAN, Chunhui [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Jianping [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Ying [CA/US]; (US) (US Seulement).
ZHAO, Fanghai [CN/US]; (US)
Inventeurs : YAN, Chunhui; (US).
ZHANG, Jianping; (US).
LIU, Ying; (US).
ZHAO, Fanghai; (US)
Mandataire : HUANG, Jiawei; J.C. Patents 4 Venture, Suite 250 Irvine, CA 92618 (US)
Données relatives à la priorité :
12/824,097 25.06.2010 US
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DEVICES WITH IMPROVED ACTIVE-REGION
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS AVEC RÉGION ACTIVE AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting device comprises an active-region sandwiched between an n-type layer and a p-type layer, that allows lateral carrier injection into the active-region so as to reduce heat generation in the active-region and to minimize additional forward voltage increase associated with bandgap discontinuity. In some embodiments, the active-region is a vertically displaced multiple-quantum-well (MQW) active-region. A method for fabricating the same is also provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent comportant une région active prise en sandwich entre une couche de type n et une couche de type p, qui permet une injection latérale de porteurs dans la région active de façon à réduire la génération de chaleur dans la région active et à minimiser l'accroissement de la tension directe supplémentaire associé à une discontinuité de bande interdite. Dans certains modes de réalisation, la région active est une région active multi-puits quantiques (multiple-‌quantum-‌well, MQW) décalée verticalement. L'invention concerne également un procédé pour son façonnage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)