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1. (WO2011162367) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/162367 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/064507
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 24.06.2011
CIB :
H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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caractérisés par les électrodes
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ayant une forme particulière
Déposants :
程田 高史 HODOTA, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
Inventeurs :
程田 高史 HODOTA, Takashi; JP
Mandataire :
古部 次郎 FURUBE, Jiro; 東京都港区赤坂5-4-11 山口建設第二ビル4階 セリオ国際特許事務所 SERIO PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS, 4F Yamaguchi kensetsu No.2 Building, 4-11, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2010-14517025.06.2010JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé :
(EN) Disclosed is a semiconductor light-emitting element (1) comprising: an n-type semiconductor layer (140); a light-emitting layer (150) which can emit light upon the conduction of an electric power; a p-type semiconductor layer (160); a transparent conductive layer (170) which is laminated on the p-type semiconductor layer (160); a reflective film (180) which is composed of a material having transmissivity and an insulating property to light emitted from the light-emitting layer (150) and is laminated on the transparent conductive layer (170); a p conductive body (200) which is so formed as to penetrate through the reflective film (180) and is electrically connected to the transparent conductive layer (170); an n electrode (310) which is electrically connected to the n-type semiconductor layer (140); and a p electrode (300) which is laminated on the reflective film (180) in a firmly adhered manner, is electrically connected to the other end of the p conductive body (200), and has p adhesion layer (301) composed of the same material as that for the transparent conductive layer (170) and a p metal reflective layer (302) laminated on the p adhesion layer (301). It is possible to improve the interlayer adhesion in a semiconductor light-emitting element which can be mounted by means of face up or flip chip attachment.
(FR) Cette invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur (1), comprenant : une couche semi-conductrice de type n (140) ; une couche électroluminescente (150) apte à émettre de la lumière suite au passage d'un courant électrique ; une couche semi-conductrice de type p (160) ; une couche conductrice transparente (170) stratifiée sur la couche semi-conductrice de type p (160) ; une couche réfléchissante (180) constituée d'un matériau transmissif et doté d'une propriété isolante par rapport à la lumière émise par la couche électroluminescente (150) et stratifiée sur la couche conductrice transparente (170) ; un corps conducteur de type p (200) formé de façon à pénétrer à travers la couche réfléchissante (180) et électriquement relié à la couche conductrice transparente (170) ; une électrode de type n (310) électriquement reliée à la couche semi-conductrice de type n (140) ; et une électrode de type p (300) stratifiée sur la couche réfléchissante (180) de manière à adhérer fermement sur celle-ci, et électriquement reliée à l'autre extrémité du corps conducteur de type p (200), et présentant une couche d'adhésion de type p (301) constituée du même matériau que celui de la couche conductrice transparente (170) ainsi qu'une couche métallique réfléchissante de type p (302) stratifiée sur la couche d'adhésion de type p (301). L'invention permet d'améliorer l'adhésion entre les couches dans un élément électroluminescent à semi-conducteur pouvant être monté au moyen d'une connexion face vers le haut ou d'une connexion par billes.
(JA) 本発明の半導体発光素子1は、n型半導体層140と、通電により発光する発光層150と、p型半導体層160と、p型半導体層160に積層される透明導電層170と、発光層150から出射される光に対する透過性及び絶縁性を有する材料で構成され、透明導電層170に積層される反射膜180と、反射膜180を貫通して形成され透明導電層170に電気的に接続されるp導体部200と、n型半導体層140と電気的に接続されるn電極310と、反射膜180に密着して積層され且つp導体部200の他端が電気的に接続され、透明導電層170と同一の材料で構成されるp密着層301及びp密着層301に積層されるp金属反射層302を有するp電極300を含む。これにより、フェースアップやフリップチップにて実装される半導体発光素子の各層間の密着性を向上させる。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)