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1. (WO2011162332) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF DE MACHINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/162332    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/064402
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 23.06.2011
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/20 (2010.01)
Déposants : TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1, Haruhinagahata, Kiyosu-shi, Aichi 4528564 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAI Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAI Hiromitsu; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-145352 25.06.2010 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, ELECTRONIC DEVICE, AND MACHINE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF DE MACHINE
(JA) 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、電子機器及び機械装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor light emitting element, which comprises a step wherein a compound semiconductor substrate that is obtained by forming at least one compound semiconductor layer on a substrate and has a warping amount (H) within the range of 50 μm ≤ H ≤ 250 μm is used and a regrowth layer of the compound semiconductor layer is laminated on the compound semiconductor substrate, and which is capable of reducing the emission wavelength distribution (σ) of a semiconductor light emitting layer to be obtained. Specifically disclosed is a method for manufacturing a semiconductor light emitting element that comprises an n-type semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type semiconductor layer, each of said layers being formed from a compound semiconductor. The method for manufacturing a semiconductor light emitting element is characterized by comprising a step wherein a compound semiconductor substrate that is obtained by forming at least one compound semiconductor layer on a substrate and has a warping amount (H) within the range of 50 μm ≤ H ≤ 250 μm is prepared and a regrowth layer of the compound semiconductor layer is laminated on the compound semiconductor layer of the compound semiconductor substrate within a metal-organic chemical vapor deposition apparatus.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur émetteur de lumière, qui comprend une étape faisant appel à un substrat semi-conducteur composé qui est obtenu en formant au moins une couche de semi-conducteur composé sur un substrat et qui présente un gauchissement (H) dans la gamme de 50 μm ≤ H ≤ 250 μm, étape dans laquelle une couche de recroissance de la couche de semi-conducteur composé est laminée sur le substrat semi-conducteur composé. Ledit procédé permet de réduire la distribution des longueurs d'onde d'émission (σ) d'une couche de semi-conducteur émetteur de lumière à obtenir. L'invention concerne spécifiquement un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur émetteur de lumière qui comprend une couche de semi-conducteur de type n, une couche émettrice de lumière et une couche de semi-conducteur de type p, chacune desdites couches étant formée à partir d'un semi-conducteur composé. Ledit procédé est caractérisé en ce qu'il comprend une étape dans laquelle un substrat semi-conducteur composé qui est obtenu en formant au moins une couche de semi-conducteur composé sur un substrat et qui présente un gauchissement (H) dans la gamme de 50 μm ≤ H ≤ 250 μm est préparé, et une couche de recroissance de la couche de semi-conducteur composé est laminée sur la couche de semi-conducteur composé du substrat semi-conducteur composé dans un appareil de dépôt chimique en phase vapeur organométallique.
(JA) 基板上に少なくとも1つの化合物半導体層が成膜された化合物半導体基板の反り量Hが50μm≦H≦250μmの範囲である化合物半導体基板を用い、この上に前記化合物半導体層の再成長層を積層する工程を有し、得られる半導体発光層の発光波長分布σを小さくすることが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。化合物半導体からなるn型半導体層と発光層とp型半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、基板上に少なくとも1つの化合物半導体層が成膜された化合物半導体基板の反り量Hが50μm≦H≦250μmの範囲である化合物半導体基板を準備し、有機金属化学気相成長装置内において、前記化合物半導体基板の化合物半導体層上に、前記化合物半導体層の再成長層を積層する工程を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)