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1. (WO2011162265) COMPOSITION POUR LE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT À BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT À BASE DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/162265    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/064179
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 21.06.2011
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/04 (2012.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (Tous Sauf US).
SEKIGUCHI, Kazutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIMURA, Tooru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SEKIGUCHI, Kazutoshi; (JP).
NISHIMURA, Tooru; (JP)
Mandataire : KURIHARA, Hiroyuki; Kurihara International Patent Office, Iwasaki Bldg. 6F, 3-15, Hiroo 1-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1500012 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-143158 23.06.2010 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR POLISHING SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR POLISHING SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION POUR LE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT À BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT À BASE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素基板研磨用組成物及び炭化珪素基板の研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a silicon carbide substrate-polishing composition for polishing silicon carbide substrates, said composition comprising colloidal silica particles having a true specific gravity of 2.10-2.30 and water, and having a free alkali metal ion concentration of 1-150 ppm.
(FR)Cette invention concerne une composition pour le polissage d'un substrat à base de carbure de silicium, destinée au polissage de la surface de substrats à base de carbure de silicium. Ladite composition comprend des particules de silice colloïdale dont la densité absolue va de 2,10 à 2,30, ainsi que de l'eau. La composition présente en outre une concentration d'ions métalliques alcalins libres allant de 1 à 150 ppm.
(JA)炭化珪素基板の表面を研磨するための炭化珪素基板研磨用組成物であって、真比重が2.10以上2.30以下のコロイダルシリカ粒子と水とを含み、遊離しているアルカリ金属イオンの濃度が1ppm以上150ppm以下である炭化珪素基板研磨用組成物とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)