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1. (WO2011162102) DISPOSITIF D'IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/162102    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/063143
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 08.06.2011
CIB :
H01J 31/49 (2006.01), H01J 29/45 (2006.01), H01J 31/26 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : Pioneer Corporation [JP/JP]; 1-1, Shin-ogura, Saiwai-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2120031 (JP) (Tous Sauf US).
SHINSHU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Asahi 3-chome, Matsumoto-shi, Nagano 3908621 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Ryota [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIKAWA, Takamasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASHIMOTO, Yoshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Ryota; (JP).
WATANABE, Atsushi; (JP).
YOSHIKAWA, Takamasa; (JP).
HASHIMOTO, Yoshio; (JP)
Mandataire : FUJIMURA PATENT BUREAU, P.C.; Daiwa Ginza 1-Chome Bldg., 13-1, Ginza 1-Chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-142801 23.06.2010 JP
Titre (EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像デバイス
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an imaging device comprising: a light-transmissive substrate (11); a light-transmissive electrode membrane(12), a photoelectric conversion unit (13) and a charge multiplication unit (14), which are laminated sequentially in this order on the light-transmissive substrate (11); and an electron source (20) which is so arranged as to face the charge multiplication unit (14). The photoelectric conversion unit is composed of a (Group 11)-(Group 13)-(Group 16) (Groups IB-IIIB-VIB) compound, a (Group 12)-(Group 14)-(Group 15) (Groups IIB-IVB-VB) compound or a (Group 12)-(Group 13)-(Group 16) (Groups IIB-IIIB-VIB ) compound each having a resistivity of at least 106 to 1012 Ωcm inclusive. The charge multiplication unit is composed of a layer mainly composed of amorphous selenium. It is possible to provide an imaging device which can retain a photoelectric conversion efficiency in a wide wavelength range and has a high S/N ratio.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie comportant : un substrat (11) transmettant la lumière; une membrane (12) d'électrode transmettant la lumière, une unité (13) de conversion photoélectrique et une unité (14) de multiplication de charge, qui sont stratifiées séquentiellement dans cet ordre sur le substrat (11) transmettant la lumière; et une source (20) d'électrons disposée de manière à faire face à l'unité (14) de multiplication de charge. L'unité de conversion photoélectrique est constituée d'un composé (Groupe 11)-(Groupe 13)-(Groupe 16) (Groupes IB-IIIB-VIB), d'un composé (Groupe 12)-(Groupe 14)-(Groupe 15) (Groupes IIB-IVB-VB) ou d'un composé (Groupe 12)-(Groupe 13)-(Groupe 16) (Groupes IIB-IIIB-VIB) présentant chacun une résistivité d'au moins 106 à 1012 Ωcm inclus. L'unité de conversion photoélectrique est constituée d'une couche principalement composée de sélénium amorphe. Il est ainsi possible de réaliser un dispositif d'imagerie capable de maintenir un rendement de conversion photoélectrique dans une large gamme de longueurs d'ondes et caractérisé par un rapport signal / bruit élevé.
(JA) 本発明の撮像デバイスは、透光性基板(11)上に透光性電極膜(12)、光電変換部(13)及び電荷増倍部(14)を順次積層し、前記電荷増倍部に対向して配置した電子源(20)を備える。前記光電変換部は少なくとも抵抗率が10Ωcm以上1012Ωcm以下の11族-13族-16族(IB-IIIB-VIB族)系、又は12族-14族-15族(IIB-IVB-VB族)系、又は12族-13族-16族(IIB-IIIB-VIB族)系化合物から構成される。また、前記電荷増倍部は非晶質セレンを主体とする層から構成される。 これにより、広い波長領域で光電変換効率を維持し、かつS/N比が高い撮像デバイスを提供することが可能となった。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)