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1. (WO2011161895) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PUCE À ÉLÉMENTS D'ANALYSE
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N° de publication :
WO/2011/161895
N° de la demande internationale :
PCT/JP2011/003336
Date de publication :
29.12.2011
Date de dépôt international :
13.06.2011
CIB :
G01N 21/27
(2006.01),
C23C 14/14
(2006.01),
C23C 14/24
(2006.01),
C23C 14/34
(2006.01),
G01N 21/64
(2006.01),
G01N 33/543
(2006.01)
G
PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
25
Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
27
en utilisant la détection photo-électrique
C
CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
14
Matériau métallique, bore ou silicium
C
CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
C
CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
G
PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
62
Systèmes dans lesquels le matériau analysé est excité de façon à ce qu'il émette de la lumière ou qu'il produise un changement de la longueur d'onde de la lumière incidente
63
excité optiquement
64
Fluorescence; Phosphorescence
G
PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
33
Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes G01N1/-G01N31/146
48
Matériau biologique, p.ex. sang, urine; Hémocytomètres
50
Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang, d'urine; Recherche ou analyse par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Recherche ou analyse immunologique
53
Essais immunologiques; Essais faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet
543
avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
Déposants :
KONICA MINOLTA HOLDINGS, INC.
[JP/JP]; 1-6-1, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
(Tous Sauf US)
.
MIYAURA, Tomoko
[JP/JP]; (JP)
(US Seulement)
.
MIYATA, Kenichi
[JP/JP]; (JP)
(US Seulement)
Inventeurs :
MIYAURA, Tomoko
; (JP).
MIYATA, Kenichi
; (JP)
Mandataire :
KOTANI, Etsuji
; Osaka Nakanoshima Building 2nd Floor, 2-2, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-141564
22.06.2010
JP
Titre
(EN)
PROCESS FOR PRODUCTION OF ANALYSIS ELEMENT CHIP
(FR)
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PUCE À ÉLÉMENTS D'ANALYSE
(JA)
分析素子チップの製造方法
Abrégé :
(EN)
Disclosed is a process for producing an analysis element chip (10) which can be used in a surface plasmon resonance analyzer or a surface plasmon resonance fluorescent analyzer, and in which a prism (11) having a metal film (15) formed on a predetermined surface (13) thereof is provided. The process involves a film formation step of forming the metal film (15) on the predetermined surface (13) of the prism (11), and is characterized in that the metal film (15) having a predetermined thickness (D3) is produced in the film formation step, wherein the predetermined thickness (D3) is determined on the basis of the boundary thickness (D2) that is a film thickness achieved when a film formation rate, i.e., the relationship between the film formation time and the thickness of the metal film (15) formed, is varied.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de production d'une puce à éléments d'analyse (10) qui peut être utilisée dans un analyseur par résonance de plasmons de surface ou un analyseur de fluorescence par résonance de plasmons de surface comprenant un prisme (11) pourvu d'un film métallique (15) formé sur une surface prédéterminée de celui-ci. Le procédé selon l'invention comprend une étape de formation de film consistant à former le film métallique (15) sur la surface prédéterminée (13) du prisme (11), et qui est caractérisée en ce que le film métallique (15) ayant une épaisseur prédéterminée (D3) est produit pendant l'étape de formation de film, ladite épaisseur prédéterminée (D3) étant déterminée en fonction de l'épaisseur limite (D2) qui est une épaisseur de film obtenue quand on fait varier la vitesse de formation du film, à savoir, la relation entre le temps de formation du film et l'épaisseur du film métallique (15) formé.
(JA)
本発明は、表面プラズモン共鳴分析装置又は表面プラズモン共鳴蛍光分析装置に用いられ、所定の面13の面上に金属膜15を形成したプリズム11を備えた分析素子チップ10の製造方法であって、プリズム11の所定の面13の面上に金属膜15を形成する成膜工程を備え、この成膜工程は、成膜時間と形成される金属膜15の膜厚との関係である成膜レートが変化したときの膜厚である境界膜厚D2に基づく所定の膜厚D3で金属膜15を形成することを特徴とする。
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication :
japonais (
JA
)
Langue de dépôt :
japonais (
JA
)