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1. (WO2011161847) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/161847 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/000349
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 24.01.2011
CIB :
H03F 3/26 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01P 5/10 (2006.01) ,H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 3/213 (2006.01) ,H03F 3/68 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
26
Amplificateurs push-pull; Déphaseurs pour ceux-ci
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
P
GUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
5
Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
08
destinés au couplage de lignes ou de dispositifs de différentes sortes
10
destinés au couplage de lignes ou de dispositifs équilibrés avec des lignes ou des dispositifs déséquilibrés
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02
Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
213
dans des circuits intégrés
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
68
Combinaisons d'amplificateurs, p.ex. amplificateurs à plusieurs voies pour stéréophonie
Déposants :
河井 康史 KAWAI, Yasufumi; null (UsOnly)
酒井 啓之 SAKAI, Hiroyuki; null (UsOnly)
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs :
河井 康史 KAWAI, Yasufumi; null
酒井 啓之 SAKAI, Hiroyuki; null
Mandataire :
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
Données relatives à la priorité :
2010-14104421.06.2010JP
Titre (EN) POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力増幅器
Abrégé :
(EN) Disclosed is a power amplifier (100) which is provided with: an input-side transformer (120), which has an annular primary coil (121), i.e., a first metal wiring line, and a plurality of straight secondary coils (122), i.e., a plurality of second metal wiring lines, and which performs input impedance matching, and distributes input signals as a plurality of distribution signals; a plurality of push-pull amplifiers (110) which are respectively provided with a pair of transistors (111) that amplify one of the distribution signals; and an output-side transformer (130), which has an annular secondary coil (131), i.e., a third metal wiring line, and a plurality of straight primary coils (132), i.e., a plurality of fourth metal wiring lines, and which synthesizes the amplified distribution signals, and performs output impedance matching. The two input terminals of the pair of transistors (111) are connected to each other via the secondary wiring lines, and the two output terminals are connected to each other via the fourth metal wiring lines.
(FR) L'invention concerne un amplificateur (100) de puissance comportant : un transformateur (120) côté entrée qui comprend une bobine primaire annulaire (121), c'est-à-dire une première ligne de câblage métallique, et une pluralité de bobines secondaires droites (122), c'est-à-dire une pluralité de deuxièmes lignes de câblage métalliques, et qui effectue une adaptation d'impédance en entrée et distribue des signaux d'entrée sous la forme d'une pluralité de signaux de distribution ; une pluralité d'amplificateurs push-pull (110) munis respectivement d'une paire de transistors (111) qui amplifient un des signaux de distribution ; et un transformateur (130) côté sortie qui comprend une bobine secondaire annulaire (131), c'est-à-dire une troisième ligne de câblage métallique, et une pluralité de bobines primaires droites (132), c'est-à-dire une pluralité de quatrièmes lignes de câblage métalliques, et qui synthétise les signaux de distribution amplifiés et effectue une adaptation d'impédance en sortie. Les deux bornes d'entrée de la paire de transistors (111) sont reliées l'une à l'autre via les lignes de câblage secondaires, et les deux bornes de sortie sont reliées l'une à l'autre via les quatrièmes lignes de câblage métalliques.
(JA)  本発明に係る電力増幅器(100)は、第1金属配線である環状1次コイル(121)と、複数の第2金属配線である複数の直線2次コイル(122)とを有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ(120)と、複数の分配信号の1つを増幅する1対のトランジスタ(111)をそれぞれが備える複数のプッシュプル増幅器(110)と、第3金属配線である環状2次コイル(131)と、複数の第4金属配線である複数の直線1次コイル(132)とを有し、増幅された複数の分配信号を合成するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ(130)とを備え、1対のトランジスタ(111)の2つの入力端子は、第2金属配線を介して互いに接続され、2つの出力端子は、第4金属配線を介して互いに接続される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)