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1. (WO2011161797) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/161797    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/060757
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 24.06.2010
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
OZAKI, Shirou [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKATA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OZAKI, Shirou; (JP).
NAKATA, Yoshihiro; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FORMING WIRING STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
(JA) 配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a wiring structure, which comprises: a step in which an opening is formed in an insulating film by dry etching wherein an etching gas containing fluorine is used; a cleaning step in which the bottom surface and the lateral surface of the opening are cleaned by being exposed to superheated steam; a step in which the bottom surface and the lateral surface of the opening are covered with a barrier metal film; a step in which a conductive film is deposited on the insulating film, so that the opening is filled with the conductive film with the barrier metal film being interposed therebetween; and a step in which the conductive film and the barrier metal film therebelow are polished by a chemical mechanical polishing method until the surface of the insulating film is exposed, so that a wiring pattern is formed of the conductive film in the opening.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une structure de câblage, qui consiste à former une ouverture dans un film isolant par gravure sèche en utilisant un gaz de gravure contenant du fluor, nettoyer la surface inférieure et la surface latérale de l'ouverture en les exposant à de la vapeur surchauffée, recouvrir la surface inférieure et la surface latérale de l'ouverture avec un film métallique de barrière, déposer un film conducteur sur le film isolant pour que l'ouverture soit remplie avec le film conducteur, le film métallique de barrière étant intercalé entre ceux-ci, et polir le film conducteur et le film métallique de barrière par un procédé de polissage mécanochimique jusqu'à ce que la surface du film isolant soit exposée, de manière à former un motif de câblage du film conducteur dans l'ouverture.
(JA) 配線構造の形成方法は、絶縁膜中に開口部を、フッ素を含むエッチングガスを使ったドライエッチングにより形成する工程と、前記開口部の底面と側壁面を、過熱水蒸気に曝露して洗浄する洗浄工程と、前記開口部の底面と側壁面をバリアメタル膜で覆う工程と、前記絶縁膜上に導体膜を堆積し、前記開口部を、前記バリアメタル膜を介して前記導体膜で充填する工程と、前記導体膜およびその下のバリアメタル膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで化学機械研磨法により研磨し、前記開口部に前記導体膜により、配線パタ―ンを形成する工程を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)