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1. (WO2011161797) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS

Pub. No.:    WO/2011/161797    International Application No.:    PCT/JP2010/060757
Publication Date: Fri Dec 30 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Fri Jun 25 01:59:59 CEST 2010
IPC: H01L 21/3205
H01L 21/28
H01L 21/304
H01L 21/3065
H01L 21/768
H01L 23/52
Applicants: FUJITSU LIMITED
富士通株式会社
OZAKI, Shirou
尾崎 史朗
NAKATA, Yoshihiro
中田 義弘
Inventors: OZAKI, Shirou
尾崎 史朗
NAKATA, Yoshihiro
中田 義弘
Title: PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
Abstract:
L'invention concerne un procédé de formation d'une structure de câblage, qui consiste à former une ouverture dans un film isolant par gravure sèche en utilisant un gaz de gravure contenant du fluor, nettoyer la surface inférieure et la surface latérale de l'ouverture en les exposant à de la vapeur surchauffée, recouvrir la surface inférieure et la surface latérale de l'ouverture avec un film métallique de barrière, déposer un film conducteur sur le film isolant pour que l'ouverture soit remplie avec le film conducteur, le film métallique de barrière étant intercalé entre ceux-ci, et polir le film conducteur et le film métallique de barrière par un procédé de polissage mécanochimique jusqu'à ce que la surface du film isolant soit exposée, de manière à former un motif de câblage du film conducteur dans l'ouverture.