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1. (WO2011161227) CELLULE DE MÉMOIRE AVEC CHEMINS ÉLECTRIQUES PARALLÈLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/161227    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/060595
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 24.06.2011
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
KARIDIS, John, Peter [US/US]; (US) (US Seulement).
FRANCESCHINI, Michele, Martino [IT/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KARIDIS, John, Peter; (US).
FRANCESCHINI, Michele, Martino; (US)
Mandataire : GASCOYNE, Belinda; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
12/823,924 25.06.2010 US
Titre (EN) MEMORY CELL WITH PARALLEL ELECTRICAL PATHS
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE AVEC CHEMINS ÉLECTRIQUES PARALLÈLES
Abrégé : front page image
(EN)A planar phase change memory cell with parallel electrical paths. The memory cell includes a first conductive electrode region having a length greater than its width and an axis aligned with the length. The memory cell also includes a second conductive electrode region having an edge oriented at an angle to the axis of the first conductive electrode region. The memory cell further includes an insulator region providing a lateral separation distance between an end of the first conductive electrode region and the edge of the second conductive electrode region, the insulator region including at least part of an insulator film and the lateral separation distance is responsive to the thickness of the insulator film.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire à changement de phase plane avec des chemins électriques parallèles. La cellule de mémoire comprend une première région d'électrode conductrice ayant une longueur supérieure à sa largeur et un axe aligné sur la longueur. La cellule de mémoire comprend également une deuxième région d'électrode conductrice ayant un bord orienté d'un certain angle par rapport à l'axe de la première région d'électrode conductrice. La cellule de mémoire comprend aussi une région isolante fournissant une distance de séparation latérale entre une extrémité de la première région d'électrode conductrice et le bord de la deuxième région d'électrode conductrice, la région isolante comprenant au moins une partie d'un film isolant, et la distance de séparation latérale dépendant de l'épaisseur du film isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)