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1. (WO2011160814) PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UNE RÉGION DOPÉE AU BORE PASSIVÉ, EN PARTICULIER LORS DE LA FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE PRÉSENTANT UNE RÉGION DE DIFFUSION DE BORE PASSIVÉ

Pub. No.:    WO/2011/160814    International Application No.:    PCT/EP2011/003060
Publication Date: Fri Dec 30 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Wed Jun 22 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01L 31/18
Applicants: INTERNATIONAL SOLAR ENERGY RESEARCH CENTER KONSTANZ e. V.
MIHAILETCHI, Valentin
KOPECEK, Radovan
WEFRINGHAUS, Eckard
HARNEY, Rudolf
JOURDAN, Johann
Inventors: MIHAILETCHI, Valentin
KOPECEK, Radovan
WEFRINGHAUS, Eckard
HARNEY, Rudolf
JOURDAN, Johann
Title: PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UNE RÉGION DOPÉE AU BORE PASSIVÉ, EN PARTICULIER LORS DE LA FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE PRÉSENTANT UNE RÉGION DE DIFFUSION DE BORE PASSIVÉ
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une région dopée au bore passivé, en particulier dans une cellule solaire, qui consiste : a) à utiliser un substrat semi-conducteur ; b) à former une région dopée au bore (202, 302, 402, 502) dans ledit substrat semi-conducteur (201, 201, 301, 401), au moins une portion d'une surface dudit substrat semi-conducteur faisant partie de cette région dopée au bore (202, 302, 402, 502) ; et c) à former au moins un film de revêtement diélectrique (204, 205, 304, 305, 404, 405, 504, 505) sur au minimum une portion de la surface du substrat semi-conducteur (201, 301, 401, 501) qui a été modifiée par les étapes de traitement précédentes, une couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A) étant formée sur la surface de la région dopée au bore (202, 302, 402, 502) et au moins un film de revêtement diélectrique (204, 304, 404, 504) étant formé en contact direct avec au minimum une partie de ladite couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A). La présente invention concerne également une cellule solaire (200, 300, 400, 500) qui comporte un substrat semi-conducteur, au moins une région dopée au phosphore (203, 303, 403, 503) dans ledit substrat semi-conducteur qui peut être connectée à un circuit électrique à l'aide d'au minimum un contact métallique (207, 307, 407, 507), au moins une région dopée au bore (202, 302, 402, 502) dans ledit substrat semi-conducteur qui peut être connectée à un circuit électrique à l'aide d'au minimum un contact métallique (206, 306, 406, 506), et au moins un film de revêtement diélectrique (204, 205, 304, 305, 404, 405, 504, 505) recouvrant au minimum une portion d'une surface dudit substrat semi-conducteur. Ce substrat semi-conducteur comprend au moins une couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A) sur la surface de ladite région dopée au bore (202, 302, 402, 502). Le film diélectrique (204, 304, 404, 504) est en contact direct avec au moins une surface de ladite couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A) qui se trouve en regard de la surface de la couche de verre borosilicaté (202, 302, 402, 502) faisant face à la région dopée au bore.