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1. (WO2011160814) PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UNE RÉGION DOPÉE AU BORE PASSIVÉ, EN PARTICULIER LORS DE LA FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE PRÉSENTANT UNE RÉGION DE DIFFUSION DE BORE PASSIVÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/160814    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/003060
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 21.06.2011
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL SOLAR ENERGY RESEARCH CENTER KONSTANZ e. V. [DE/DE]; Rudolf-Diesel-Str. 15 78467 Konstanz (DE) (Tous Sauf US).
MIHAILETCHI, Valentin [RO/DE]; (DE) (US Seulement).
KOPECEK, Radovan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEFRINGHAUS, Eckard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HARNEY, Rudolf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JOURDAN, Johann [FR/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MIHAILETCHI, Valentin; (DE).
KOPECEK, Radovan; (DE).
WEFRINGHAUS, Eckard; (DE).
HARNEY, Rudolf; (DE).
JOURDAN, Johann; (DE)
Mandataire : Westphal, Mussgnug & Partner; Patentanwälte Am Riettor 5 78048 Villingen-Schwenningen (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2010 024 834.7 23.06.2010 DE
Titre (EN) METHOD FOR CREATING A PASSIVATED BORON-DOPED REGION, ESPECIALLY DURING PRODUCTION OF A SOLAR CELL, AND SOLAR CELL WITH PASSIVATED BORON-DIFFUSED REGION
(FR) PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UNE RÉGION DOPÉE AU BORE PASSIVÉ, EN PARTICULIER LORS DE LA FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE PRÉSENTANT UNE RÉGION DE DIFFUSION DE BORE PASSIVÉ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for fabrication of a passivated boron -doped region, especially in a solar cell, comprising the steps of a) providing a semiconductor substrate, b) forming a boron-doped region (202, 302, 402, 502) in said semiconductor substrate (201, 201, 301, 401), wherein at least part of a surface of said semiconductor substrate belongs to said boron-doped region (202, 302, 402, 502) and c) forming at least one dielectric coating film (204, 205, 304, 305, 404, 405, 504, 505) on at least part of the surface of the semiconductor substrate (201, 301, 401, 501) as modified by previous process -ing steps, wherein a borosilicate glass layer (202A, 302A, 402A, 502A) is formed on the surface of the boron-doped region (202, 302, 402, 502) and that at least one dielectric coating film (204, 304, 404, 504) is formed in direct contact with at least part of said borosilicate glass layer (202A,302A, 402A, 502A). The invention also relates to a solar cell having a boron-doped region that is passivated by means of a stack of borosilicate glass layer and a dielectric coating film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une région dopée au bore passivé, en particulier dans une cellule solaire, qui consiste : a) à utiliser un substrat semi-conducteur ; b) à former une région dopée au bore (202, 302, 402, 502) dans ledit substrat semi-conducteur (201, 201, 301, 401), au moins une portion d'une surface dudit substrat semi-conducteur faisant partie de cette région dopée au bore (202, 302, 402, 502) ; et c) à former au moins un film de revêtement diélectrique (204, 205, 304, 305, 404, 405, 504, 505) sur au minimum une portion de la surface du substrat semi-conducteur (201, 301, 401, 501) qui a été modifiée par les étapes de traitement précédentes, une couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A) étant formée sur la surface de la région dopée au bore (202, 302, 402, 502) et au moins un film de revêtement diélectrique (204, 304, 404, 504) étant formé en contact direct avec au minimum une partie de ladite couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A). La présente invention concerne également une cellule solaire (200, 300, 400, 500) qui comporte un substrat semi-conducteur, au moins une région dopée au phosphore (203, 303, 403, 503) dans ledit substrat semi-conducteur qui peut être connectée à un circuit électrique à l'aide d'au minimum un contact métallique (207, 307, 407, 507), au moins une région dopée au bore (202, 302, 402, 502) dans ledit substrat semi-conducteur qui peut être connectée à un circuit électrique à l'aide d'au minimum un contact métallique (206, 306, 406, 506), et au moins un film de revêtement diélectrique (204, 205, 304, 305, 404, 405, 504, 505) recouvrant au minimum une portion d'une surface dudit substrat semi-conducteur. Ce substrat semi-conducteur comprend au moins une couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A) sur la surface de ladite région dopée au bore (202, 302, 402, 502). Le film diélectrique (204, 304, 404, 504) est en contact direct avec au moins une surface de ladite couche de verre borosilicaté (202A, 302A, 402A, 502A) qui se trouve en regard de la surface de la couche de verre borosilicaté (202, 302, 402, 502) faisant face à la région dopée au bore.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)