WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011160521) STRUCTURE DE CONDITIONNEMENT D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/160521    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/074479
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 21.05.2011
CIB :
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01)
Déposants : JINGDEZHEN FARED TECHNOLOGY CO LTD [CN/CN]; (CN) (Tous Sauf US).
CHEN, Jeong-Shiun [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Jeong-Shiun; (CN)
Mandataire : GRANDWAY LAW OFFICES; 12/F Tower A, No.1 Jinrongdajie Xicheng District Beijing 100033 (CN)
Données relatives à la priorité :
201010207018.0 23.06.2010 CN
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE PACKAGING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE CONDITIONNEMENT D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 发光二极管封装结构及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode packaging structure and manufacturing method thereof are provided. The structure comprises a substrate (10), a first transparent glue layer (20), a second transparent glue layer (30), light emitting diode(LED) chips (40), fluorescent glue (50) and encapsulating glue (60), wherein the LED chips are located inside the enclosed plane pattern of the first transparent glue layer, the enclosed plane pattern of the second transparent glue layer surrounds the first transparent glue layer, the fluorescent glue covers the LED chips, the encapsulating glue covers the substrate, the first transparent glue layer and the fluorescent glue, the height of the first transparent glue layer is larger than the height of the LED chips, and the height of the second transparent glue layer is larger than the height of the first transparent glue layer. Therefore, the packaging structure avoids usage of a bracket, and has a wider light source emission angle. It can simplify the whole structure and further improve light emission efficiency.
(FR)Cette invention concerne une structure de conditionnement d'une diode électroluminescente et son procédé de fabrication. Cette structure comprend un substrat (10), une première couche de colle transparente (20), une seconde couche de colle transparente (30), des puces pour diode électroluminescente (DEL) (40), une colle fluorescente (50) et une colle d'encapsulation (60). Les puces (DEL) sont situées à l'intérieur du motif plan clos de la première couche de colle transparente, le motif plan clos de la seconde couche de colle transparente entoure la première couche transparente, la colle fluorescente recouvre les puces DEL, la colle d'encapsulation recouvre le substrat, la première couche de colle transparente et la colle fluorescente ; la hauteur de la première couche de colle transparente est supérieure à celle des puces DEL et la hauteur de la seconde couche de colle transparente est supérieure à celle de la première couche de colle transparente. Ainsi, cette structure de conditionnement permet de faire l'économie d'un support et présente un angle d'émission de la source lumineuse plus important. La structure tout entière s'en trouve simplifiée et permet en outre d'améliorer l'efficacité de l'émission lumineuse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)