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1. WO2011160467 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT

Numéro de publication WO/2011/160467
Date de publication 29.12.2011
N° de la demande internationale PCT/CN2011/071355
Date du dépôt international 27.02.2011
CIB
H01L 21/28 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 21/8238 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 29/43 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
CPC
H01L 21/76816
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76802by forming openings in dielectrics
76816Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
H01L 21/76877
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
H01L 21/823475
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823475interconnection or wiring or contact manufacturing related aspects
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 钟汇才 ZHONG, Huicai [CN]/[CN] (UsOnly)
  • 梁擎擎 LIANG, Qingqing [CN]/[CN] (UsOnly)
Inventeurs
  • 钟汇才 ZHONG, Huicai
  • 梁擎擎 LIANG, Qingqing
Mandataires
  • 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS
Données relatives à la priorité
201010215164.822.06.2010CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTACT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT
(ZH) 一种接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件
Abrégé
(EN) A method for manufacturing a contact(220) and a semiconductor device with the contact(220) are provided. The method includes the following steps: forming a groove contact(220) with larger size firstly, then forming one or more dielectric layers(226) in the groove contact(220), next, removing a top part of the dielectric layer(226) and filling with conductive material(228). It is easy to form the groove contact(220) with larger size by using this method. This structure is easy to be fabricated. Due to the formation of the dielectric layers(226) in the groove contact(220), a capacitance between a source/drain groove contact and a gate electrode is decreased.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact (220) et un dispositif semi-conducteur avec ledit contact (220). Le procédé consiste à former d'abord un sillon de contact (220) avec une taille plus grande, puis former une ou plusieurs couches diélectriques (226) dans le sillon de contact (220), retirer ensuite la partie supérieure de la couche diélectrique (226) et remplir avec un matériau conducteur (228). Le procédé ci-décrit permet de former facilement le sillon de contact avec une taille plus grande (220) et la structure résultante. Du fait de la formation des couches diélectriques (226) dans le sillon de contact (220), la capacité entre le sillon de contact source/drain et l'électrode de grille est réduite.
Documents de brevet associés
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