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PATENTSCOPE

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1. (WO2011160422) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/160422 N° de la demande internationale : PCT/CN2011/000684
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 19.04.2011
CIB :
H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : ZHONG, Huicai[CN/CN]; CN (UsOnly)
LIANG, Qingqing[CN/CN]; CN (UsOnly)
YIN, Haizhou[CN/US]; US (UsOnly)
ZHU, Huilong[US/US]; US (UsOnly)
INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029, CN (AllExceptUS)
Inventeurs : ZHONG, Huicai; CN
LIANG, Qingqing; CN
YIN, Haizhou; US
ZHU, Huilong; US
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201010215165.222.06.2010CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种半导体器件及其形成方法
Abrégé : front page image
(EN) A method for forming a semiconductor device is provided. The method comprises: forming at least one gate stack structure and inter-layer material layers (160, 162) between the gate stack structures on a semiconductor substrate (100); determining isolating regions and removing the inter-layer material layers (160, 162) and part of the height of the semiconductor substrate (100) in the regions to form grooves (180); removing the semiconductor substrate (100) which supports the gate stack structures in the regions; filling the grooves (180) with insulating material. A semiconductor device is also provided. It can reduce the area of the isolating region.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui consiste à former au moins une structure empilée de grille et des couches de matériau intercalaire (160, 162) entre les structures empilées de grille sur un substrat semi-conducteur (100); déterminer des régions isolantes et retirer les couches de matériau intercalaire (160, 162) et une partie de la hauteur du substrat semi-conducteur (100) dans lesdites régions pour former des sillons (180); retirer le substrat semi-conducteur (100) qui soutient les structures empilées de grille dans lesdites régions; et remplir les sillons (180) avec un matériau isolant. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur qui permet de réduire la taille de la région isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)