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1. (WO2011160419) STRUCTURE SEMICONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/160419 N° de la demande internationale : PCT/CN2011/000290
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 24.02.2011
CIB :
H01L 23/482 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
朱慧珑 ZHU, Huilong [US/US]; US (UsOnly)
中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市朝阳区北土城西路3号 No. 3, Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029, CN (AllExceptUS)
Inventeurs :
朱慧珑 ZHU, Huilong; US
Mandataire :
中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 中国香港特别行政区湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road Wanchai, Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201010215093.122.06.2010CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE SEMICONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 半导体结构及其制造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor structure (10) and a method for fabricating the same are provided. The semiconductor structure (10) includes: a semiconductor substrate (1000) having opposed first surface and second surface and a through silicon via (TSV) penetrating the semiconductor substrate (1000). The TSV includes a first through hole (100) running through the first surface and a second through hole (200) running through the second surface and electrically connecting to the first through hole (100). The first through hole (100) and the second through hole (200) are respectively formed. Using the method for fabricating the semiconductor structure (10), thinned semiconductor chip is not required, thereby reducing the manufacturing cost, suitable for three-dimensional integrated circuit manufacture.
(FR) L'invention concerne une structure semiconductrice (10) et son procédé de fabrication. La structure semiconductrice (10) comprend : un substrat semiconducteur (1000) possédant une première et une seconde surface qui sont opposées et un trou métallisé traversant le silicium (TSV) qui traverse le substrat semiconducteur (1000). Le trou comprend un premier trou traversant (100) qui traverse la première surface et un second trou traversant (200) qui traverse la seconde surface et qui se connecte électriquement avec le premier trou traversant (100). Le premier trou traversant (100) et le second trou traversant (200) sont formés respectivement. Grâce au procédé de fabrication de la structure semiconductrice (10), il n'est pas nécessaire d'avoir une puce semiconductrice amincie, ce qui réduit les coûts de fabrication et convient pour la fabrication de circuits intégrés tridimensionnels.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)