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1. (WO2011160337) STRUCTURE DE DISPOSITIF MOS POUR EMPÊCHER L'EFFET DE CORPS FLOTTANT ET L'EFFET D'AUTO-ÉCHAUFFEMENT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/160337 N° de la demande internationale : PCT/CN2010/076692
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 07.09.2010
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants :
肖德元 XIAO, Deyuan [CN/CN]; CN (UsOnly)
王曦 WANG, Xi [CN/CN]; CN (UsOnly)
黄晓橹 HUANG, Xiaolu [CN/CN]; CN (UsOnly)
陈静 CHEN, Jing [CN/CN]; CN (UsOnly)
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国上海市长宁区长宁路865号 No.865, Changning Road Changning District Shanghai 200050, CN (AllExceptUS)
Inventeurs :
肖德元 XIAO, Deyuan; CN
王曦 WANG, Xi; CN
黄晓橹 HUANG, Xiaolu; CN
陈静 CHEN, Jing; CN
Mandataire :
上海光华专利事务所 J.Z.M.C PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; 中国上海市杨浦区国定路335号5022室 Room 5022, No.335, GUODing Road YANG Pu District, Shanghai 200433, CN
Données relatives à la priorité :
201010212134.125.06.2010CN
Titre (EN) MOS DEVICE STRUCTURE FOR PREVENTING FLOATING BODY EFFECT AND SELF-HEATING EFFECT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE DISPOSITIF MOS POUR EMPÊCHER L'EFFET DE CORPS FLOTTANT ET L'EFFET D'AUTO-ÉCHAUFFEMENT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法
Abrégé :
(EN) A MOS device structure for preventing floating body effect and self-heating effect and the manufacturing method thereof are provided. The MOS device structure comprises a Si substrate (1) and an active area including a channel area (31) and the source/drain areas (32, 33) located on both ends thereof on the Si substrate (1), a gate electrode (41) disposed on the channel (31), an buried insulation layer (51) disposed between the source/drain areas (32, 33) and the Si substrate (1) respectively, a SiGe isolation layer disposed between the channel (31) and the Si substrate (1). Such structure could prevent the device from floating body effect and self-heating effect, and reduce parasitic capacitance between the source and the drain.
(FR) L'invention concerne une structure de dispositif MOS pour empêcher l'effet de corps flottant et l'effet d'auto-échauffement, et son procédé de fabrication. Ladite structure de dispositif MOS comprend un substrat en Si (1) et une zone active comportant une région de canal (31), des régions de source/drain (32, 33) situées aux deux extrémités du substrat en Si (1), une électrode de grille (41) disposée sur le canal (31), une couche d'isolation enterrée (51) disposée entre les régions de source/drain (32, 33) et le substrat en Si (1), et une couche d'isolation en SiGe disposée entre le canal (31) et le substrat en Si (1). Une telle structure prévient l'effet de corps flottant et l'effet d'auto-échauffement du dispositif, et réduit la capacité parasite entre la source et le drain.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)