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1. (WO2011160130) DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES À GRANDE VITESSE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/160130    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/041108
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 20.06.2011
CIB :
H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SIONYX, INC [US/US]; 100 Cummings Ctr., 243-f Beverly, MA 01915-6506 (US) (Tous Sauf US).
CAREY, James [US/US]; (US) (US Seulement).
MILLER, Drake [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CAREY, James; (US).
MILLER, Drake; (US)
Mandataire : ALDER, Todd, B.; THORPE NORTH & WESTERN, LLP P.O. Box 1219 Sandy, UT 84091-1219 (US)
Données relatives à la priorité :
61/356,536 18.06.2010 US
Titre (EN) HIGH SPEED PHOTOSENSITIVE DEVICES AND ASSOCIATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES À GRANDE VITESSE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)High speed optoelectronic devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a high speed optoelectronic device can include a silicon material having an incident light surface, a first doped region and a second doped region forming a semiconductive junction in the silicon material, and a textured region coupled to the silicon material and positioned to interact with electromagnetic radiation. The optoelectronic device has a response time of from about 1 picosecond to about 5 nanoseconds and a responsivity of greater than or equal to about 0.4 A/W for electromagnetic radiation having at least one wavelength from about 800 nm to about 1200 nm.
(FR)L'invention concerne des dispositifs optoélectroniques à grande vitesse et les procédés associés. Dans un aspect, par exemple, un dispositif optoélectronique à grande vitesse peut comprendre un matériau de silicium présentant une surface de lumière incidente, une première zone dopée et une seconde zone dopée formant une jonction semi-conductrice dans le matériau de silicium, et une zone de texture couplée au matériau de silicium et positionnée pour interagir avec un rayonnement électromagnétique. Le dispositif optoélectronique a un temps de réponse compris entre environ 1 picoseconde et environ 5 nanosecondes et une sensibilité supérieure ou égale à 0,4 A/W pour un rayonnement électromagnétique dont au moins une longueur d'onde est comprise entre environ 800 nm et 1200 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)