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1. (WO2011160041) TRANSISTOR HAUTE TENSION UTILISANT UN DRAIN DILUÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/160041 N° de la demande internationale : PCT/US2011/040916
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 17.06.2011
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : HAO, Ping[US/US]; US (UsOnly)
PENDHARKAR, Sameer[US/US]; US (UsOnly)
HU, Binghua[US/US]; US (UsOnly)
WANG, Qingfeng[US/US]; US (UsOnly)
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED[US/US]; P.O.Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US (AllExceptUS)
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED[JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo, 160-8366, JP (JP)
Inventeurs : HAO, Ping; US
PENDHARKAR, Sameer; US
HU, Binghua; US
WANG, Qingfeng; US
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.O.Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US
Données relatives à la priorité :
13/160,75915.06.2011US
61/355,85817.06.2010US
Titre (EN) HIGH VOLTAGE TRANSISTOR USING DILUTED DRAIN
(FR) TRANSISTOR HAUTE TENSION UTILISANT UN DRAIN DILUÉ
Abrégé : front page image
(EN) An integrated circuit containing an extended drain MOS transistor (100) may be formed by forming a drift region implant mask (114) with mask fingers (116) abutting a channel region (108) and extending to the source/channel active area (112), but not extending to a drain contact active area (112). Dopants implanted through the exposed fingers form lateral doping striations in the substrate under the mask fingers. An average doping density of the drift region under the gate is at least 25 percent less than an average doping density of the drift region at the drain contact active area. In one embodiment, the dopants diffuse laterally to form a continuous drift region. In another embodiment, substrate material between lateral doping striations remains an opposite conductivity type from the lateral doping striations.
(FR) Un circuit intégré contenant un transistor MOS à drain étendu (100) peut être formé en formant un masque d'implantation de zone de dérive (114) présentant des doigts de masque (116) contigus à une région de canal (108) et s'étendant vers la zone active source/canal (112), mais ne s'étendant pas vers une zone active de contact de drain (112). Des dopants implantés par le biais des doigts exposés forment des stries de dopage latérales dans le substrat sous les doigts de masque. Une densité de dopage moyenne de la zone de dérive sous la porte est inférieure d'au moins 25 % à la densité de dopage moyenne de la zone de dérive au niveau de la zone active de contact de drain. Dans un mode de réalisation, les dopants se répandent latéralement pour former une zone de dérive continue. Dans un autre mode de réalisation, un matériau substrat entre les stries de dopage latérales demeure un type de conductivité opposé par rapport aux stries de dopage latérales.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)