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1. (WO2011160011) ISOLATION ENTRE CELLULES MÉMOIRE NON VOLATILE AU MOYEN DE DIÉLECTRIQUES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ET ENTREFERS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/160011    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/040874
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 17.06.2011
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/764 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, TX 75024 (US) (Tous Sauf US).
PURAYATH, Vinod, Robert [IN/US]; (US) (US Seulement).
MATAMIS, George [US/US]; (US) (US Seulement).
CHIEN, Henry [US/US]; (US) (US Seulement).
KAI, James [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Yuan [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PURAYATH, Vinod, Robert; (US).
MATAMIS, George; (US).
CHIEN, Henry; (US).
KAI, James; (US).
ZHANG, Yuan; (US)
Mandataire : CROMER, David, E.; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
13/162,550 16.06.2011 US
61/356,600 19.06.2010 US
Titre (EN) ISOLATION BETWEEN NONVOLATILE MEMORY CELLS BY MEANS OF LOW- DIELECTRIC- CONSTANT DIELECTRICS AND AIR GAPS AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD
(FR) ISOLATION ENTRE CELLULES MÉMOIRE NON VOLATILE AU MOYEN DE DIÉLECTRIQUES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ET ENTREFERS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)High - density semiconductor memory is provided with enhancements to gate - coupling and electrical isolation between discrete devices in non-volatile memory. The intermediate dielectric (438) between control gates (442) and charge storage regions (436) is varied in the row direction, with different dielectric constants for the varied materials to provide adequate inter-gate coupling while protecting from fringing fields and parasitic capacitances. Dielectric caps (451,453) are provided between memory cells and have a dielectric constant smaller than the one of the intermediate dielectric (438). Electrical isolation is further provided, at least in part, by air gaps that are formed in the column (bit line) direction and/or air gaps that are formed in the row (word line) direction.
(FR)La présente invention concerne une mémoire à semi-conducteurs haute densité pourvue d'améliorations du couplage de porte et de l'isolation électrique entre des dispositifs discrets dans une mémoire non volatile. Le diélectrique intermédiaire (438) entre des portes de commande (442) et des zones de stockage de charge (436) est modifié dans la direction de rangée, avec différentes constantes diélectriques pour les divers matériaux pour fournir un couplage entre portes adéquat tout en protégeant des champs de frange et des capacitances parasitiques. Des capuchons diélectriques (451, 453) sont disposés entre les cellules mémoire et présentent une constante diélectrique inférieure à celle du diélectrique intermédiaire (438). Une isolation électrique est en outre fournie, au moins en partie, par des entrefers formés dans la direction de colonne (ligne de bits) et/ou des entrefers formés dans la direction de rangée (ligne de mots).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)