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1. (WO2011159766) SEMICONDUCTEURS AMÉLIORÉS DU GROUPE IIB/VA ADAPTÉS À UNE UTILISATION DANS DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES

Pub. No.:    WO/2011/159766    International Application No.:    PCT/US2011/040459
Publication Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Thu Jun 16 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01L 31/032
H01L 31/068
H01L 31/18
Applicants: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY
KIMBALL, Gregory M.
DEGROOT, Marty W.
LEWIS, Nathan S.
ATWATER, Harry A.
Inventors: KIMBALL, Gregory M.
DEGROOT, Marty W.
LEWIS, Nathan S.
ATWATER, Harry A.
Title: SEMICONDUCTEURS AMÉLIORÉS DU GROUPE IIB/VA ADAPTÉS À UNE UTILISATION DANS DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES
Abstract:
La présente invention concerne des dispositifs, en particulier des dispositifs photovoltaïques, incorporant des semiconducteurs du groupe IIB/VA tels que des phosphures, des arséniures et / ou des antimoniures de Zn et / ou de Cd. En particulier, la présente invention concerne des méthodologies, des produits résultants et des précurseurs de ceux-ci caractérisés par une amélioration des performances électroniques du matériau semiconducteur obtenue en faisant réagir le matériau semiconducteur du groupe IIB/VA avec au moins une espèce contenant un métal (appelée ci-après espèce co-réactive) qui est suffisamment co-réactive avec au moins une espèce du groupe VA incorporée au semiconducteur du groupe IIB/VA en tant que substituant en réseau (compte tenu du fait que la même et / ou une autre espèce du groupe VA peut éventuellement être également incorporée au semiconducteur du groupe IIB/VA d'autres manières, par ex. en tant que dopant, etc.).