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1. (WO2011159737) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET PRODUITS FAISANT INTERVENIR DES ASPECTS CONSISTANT À IRRADIER PAR LASER, À COUPER ET / OU À COLLER UN MATÉRIAU CONTENANT DU SILICIUM À DES SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/159737    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/040404
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 14.06.2011
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : GIGASI SOLAR, INC. [US/US]; 3720 Appian Street Pleasanton, CA 94588 (US) (Tous Sauf US).
PRABHAKAR, Venkatraman [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PRABHAKAR, Venkatraman; (US)
Mandataire : SCHWAAB, Andrew, B.; DLA Piper LLP US 2000 University Avenue East Palo Alto, CA 95404 (US)
Données relatives à la priorité :
61/354,682 14.06.2010 US (Priority Withdrawn 03.06.2012)
Titre (EN) SYSTEMS, METHODS AND PRODUCTS INVOLVING ASPECTS OF LASER IRRADIATION, CLEAVING, AND/OR BONDING SILICON-CONTAINING MATERIAL TO SUBSTRATES
(FR) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET PRODUITS FAISANT INTERVENIR DES ASPECTS CONSISTANT À IRRADIER PAR LASER, À COUPER ET / OU À COLLER UN MATÉRIAU CONTENANT DU SILICIUM À DES SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)Systems, methods and products by process are disclosed relating to structures and/or fabrication thereof as relating, for example, to optical/electronic applications such as solar cells and displays. In one exemplary implementation, there is provided a method of producing a composite structure. Moreover, the method may include engaging a silicon-containing material into contact with a surface of the substrate and irradiating/treating the silicon-containing piece with a laser.
(FR)L'invention concerne des systèmes, des procédés et des produits de transformation associés à des structures et / ou à leur mise en forme en relation, par exemple, avec des applications optiques / électroniques telles que des cellules solaires et des affichages. Un mode de réalisation illustratif concerne un procédé de production d'une structure composite. De plus, le procédé peut comprendre des étapes consistant à placer un matériau contenant du silicium en contact avec une surface d'un substrat et à irradier / traiter la pièce contenant du silicium au moyen d'un laser.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)